PESD3V3Z1BSF深回扫型ESD保护器件替代型号SEUCS2Z3V1B

PESD3V3Z1BSF深回扫型ESD保护器件替代型号SEUCS2Z3V1B

1、常规ESD与回扫型ESD区别

常规ESD：其电压随着IPP（峰值脉冲电流）的增加而等比例增加，呈现出一个较为线性的增长趋势。带回扫ESD：当电压达到VT1（触发电压）后，ESD器件会瞬间将两端的钳位电压拉低，进入一个介于工作电压VRWM和VT1之间的较低电压Vh。随后，随着电流的增加，电压逐渐增大，但增长速度相比常规ESD较慢。

2、带回扫ESD的优点：

1.低钳位电压：在相同的IPP下，带回扫ESD的VC（钳位电压）比常规ESD器件低50%以上。这种低钳位电压有助于提前释放能量，更有效地保护集成电路（IC）及整个电路的安全；

2.更低ESD钳位电压：带回扫ESD具有更优异的ESD保护能力，能在过ESD事件时提供更低的钳位电压，从而提供更高级别的系统保护；

3.更低的漏电流：这类ESD器件具有更低的漏电流，有助于降低设备的功耗，实现更节能的设计；

4.更广泛的应用范围：带回扫ESD的优异性能使其适用于更广泛的领域，如低压移动电子设备、汽车电子、工业控制等对ESD保护要求较高的场合。

通过对比常规ESD和带回扫ESD的特性曲线图及其优点，可以看出带回扫ESD在ESD保护方面具有更出色的性能和应用前景。

图1  IV曲线对比

3、湖南静芯深回扫ESD介绍

湖南静芯在为手机、电脑等应用领域持续提供高性能解决方案的积淀中，推出SCR工艺回扫特性ESD防护器件，具有超小封装体积、超低钳位电压、超低结电容特性，相比常规工艺 TVS 防护效果更优，且不影响信号完整性，可更有效保护USB端口免受瞬态过电压的影响，为相关电子产品设备加固防护，提升消费者使用体验。

4、PESD3V3Z1BSF与SEUCS2Z3V1B参数对比表格

At TA = 25℃ unless otherwise noted（CSP0603-2L PIN TO PIN Package）

图2 基本参数对比

5、SEUCS2Z3V1B电性参数与眼图实测报告

图3 基本电性图

图4 器件TLP曲线

图5  CV曲线图

图6 静电与眼图测试

湖南静芯回深浅回扫型单双向系列ESD器件工作电压涵盖1.0~36V，是目前大陆地区深回扫产品最齐全厂家，电流涵盖4~30A，0.1pF极低电容，封装涵盖CSP、FC及各类封装形式，可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务，部分型号如下：

图7  静芯部分深回扫器件

湖