电路设计随手笔记

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前言

诸君请努力

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一、电阻

贴片电阻
常规系列厚膜贴片电阻   一般产品
高精密贴片电阻      超精密性 ±0.01％~±1％
低阻值贴片电阻
贴片电流传感器
贴片网络电阻器

标称阻值系列 误差精度
E6      20％
E12      10％
E24     5％
E48     2％
E96     1％
E192     0.5％

电阻的作用
1、分压作用
通过电阻的串联得到需要的电压
2、阻流作用
限制通过元器件的电流，起到保护元器件的作用
3、分流作用
当回路中电流较大，一个电阻的功率不够时就需要多个电阻来分流
4、将电能转化为内能
5、上拉电阻 下拉电阻
上拉电阻：将接口通过电阻上拉到电阻，在初始状态时使接口的电平为高
下拉电阻：将接口电阻下拉到GND，在初始状态下接口的电平为地
6、滤波作用
7、 0Ω

电阻的功劳：
标定值   额定值      瞬态值
封装    电路中平均电流  计算最大电流计算
5W     3W        6W
电阻要放余量，一般为1.5到2倍
电阻的封装越大，功率越大

电阻的耐压：
电阻在电路中的节点电压需要确定
电阻的耐压标称值 1.5到2倍，则为选型值
当电阻的耐压标称值低于电路节点电压时：可以采用多个电阻串联的方法

普通绝大多数电阻  负温度特性     阻值随着温度的升高，阻值在下降
特殊电阻     正温度特性     阻值随着温度的升高，阻值在上升
         可以利用正温度特性，做保护

电容初始上电，电压为0 电容等效为短路 浪涌电流
需要有一个电阻：
  在电容初始上电的时刻  电阻很大
  在电容充满电之后    电阻特别小
NTC压敏电阻    电阻负温度特性
把这个上电过程称为 软起

0Ω的多种用途
1、调试方便
2、跳线
3、参数不确定是，用0Ω代替
4、测耗电流时，去掉0Ω
5、布线布不过去了，加一个0Ω电阻
6、在高频信号下，充当电感或者电容
7、单点接地
8、熔丝作用
9、模拟地和数字地单点接地

二、电容

电容在电路中的作用：
         对后面的电路提供能量，放电
         对源进行充电，充电

在电路设计中，电压要稳定。
源往往和负载相隔很远，增加电容就可以起到稳定电压作用。
电容两端的电压不能激变。

X电容
 在电路中用来滤除差分信号   两根信号之间的干扰源

Y电容
 在电路中用来滤除公模干扰信号  信号对大地的干扰

钽电容的缺点：
1、价格高
2、耐压不高
3、容量越大，耐压越低
钽电容的优点：
1、体积小，容量大
2、使用温度范围较宽，﹣50°~100°中工作
3、寿命长，绝缘电阻高，漏电流小
4、阻抗频率特性好
5、可靠性高

铝电解电容的优点：
1、价格低
2、容量很大
3、耐压也可以很高
缺点：
1、体积大
2、有电解液，容易挥发，寿命短
3、阻抗比较大，发热，加速挥发
4、使用温度范围窄

贴片铝电解电容和插件铝电解电容的缺点特性：
1、耐压不够高 常用的就几十伏
2、容量不够大
3、抗震性不高

电容的作用

1、隔直流：作用时阻止直流通过，让交流通过
2、旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元器件提供阻抗通路
3、耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路
旁路电容是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦电容是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。

三、电感

电感是闭合回路的一种属性，是一个物理量。电感是自感和互感的总称。提供电感的器件称为电感器。
两个电感线圈互相靠近时，一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响就是互感。电路设计中，如果两个电感靠近过近，就会相互影响，影响电源。两个电感要留有足够的距离。

1、 硬件电路设计中电感的作用

1、通直流，阻交流
2、阻碍电流的变化，保持器件工作电流的稳定
3、滤波

电感和电容特性相反，具有阻止交流电，而让直流电顺利通过的特性
直流信号通过线圈时的电阻就是导线本身的电阻，压降很小。
当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过。
所以电感通直流，阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。
阻抗： Z=X L=2 π f L(f是频率)

纯电感器的阻抗：感抗：随频率增加而增加。
纯电容器的阻抗：容抗：随频率增加而减小。

作用2：阻碍电流的变化，保持器件工作电流的稳定。

作用3：滤波

2、 电感器件的分类

屏蔽电感：
     优点：便宜
     缺点：屏蔽效果差，线圈闸数多，阻抗大
电路板上如果很多个这样的电感，就会产生互感，影响周边的电路。
带磁屏蔽罩：
     优点：屏蔽效果好
     缺点：成本稍高，体积大
Coating Resin:环脂树氧封装
     优点：成本比带屏蔽罩的便宜，屏蔽效果好
一体成型：
     优点：同体积下，电流参数大；温度曲线好，屏蔽效果好
     缺点：贵

3、电感的参数介绍

1、标称电感量
  电感用L表示，基本单位时H（亨利），工程中电感单位是ｕＨ和ｍＨ。
  电感量反应了电感储存磁场能的本领。它的大小与电感线圈的数量、几何尺寸等有关。电感量是电感本身的属性，它和加在它两端的电压和电流是没有关系的。
  用于高频电路的电感量相对较小，用于低频电路的电感量相对较大。

如何增加电感：
2、额定工作电流
  电感器长期工作不损坏所允许通过的最大电流
  对相同电感量的电感器，绕制线圈的线径越粗，电感器的额定电流也就越大。
3、直流内阻（DCR）
  电感器线圈绕组的直流内阻在10^(-3)~10² Ω 的数量级。
 （1）同一系列电感器的电感量越大，则线圈数量越多，内阻相应也就越大；
 （2）对相同匝数的电感而言，绕制线圈所用的导线直径越大，则内阻越小；
 （3）相同电感量的电阻，其内阻越小越好；
 （4）线圈导线的含铜量越高，则电感的内阻越小。
4、品质因素（Q）
  品质因素定义为电感储存能量与消耗能量的比值，即线圈的感抗与线圈直流内阻之比：
  
  品质因素是反映电感器效率与性能质量的重要指标。
  Q值越大，则电感器的功率损耗越小。
5、误差范围
  除了用于振荡电路的电感器误差需要控制在0.5％以内外，一般电感器的误差范围在±10％~20％都能接受。

6、分布电容
电感器的实际等效模型：

分布电容C与自感量L呈并联关系，决定了电感器的固有频率（谐振频率）
技巧：为避免自激，应确保电感器的工作频率远小于其固有频率。

4、电感器件选型

应用场景分类：
1、高频用电感器
高频的电感一般运用到射频电路中
2、普通电路用/去耦电路用电感器
3、电源电路用电感器

假如选一个1uh，5A的电感。选择温升电流为6.2A的，一般情况下打八折，有选择余地的情况下，可以选择六折，余量越大越稳定，一般打八折。

四、二极管

1、基本知识

正向特性(外加正向电压，上图中X坐标的正半部分)
当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。
在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。
大于导通电压的区域称为导通区。
当流过二极管的电流Ｉ比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。
反向特性(外加正向电压，上图中X坐标的负半部分)
在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。
此部分为截止区。
由二极管的正向与反向特性可直观的看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。
反向击穿特性
当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。

0到门槛电压，这个区间叫死区电压或者门槛电压。在这之前，电流几乎不变。
反向饱和电流Is，反向击穿电压Ubr。
反向击穿：
齐纳击穿：是可逆的，即当外加电压撤除后，器件的特性可以恢复。
雪崩击穿：击穿的外加电压值，称为击穿电压。

Vrm，反向电压值峰值
Vm，反向电压值，取余量，打八折。
Ifm，峰值电流
Io，平时电流
Ifsm，浪涌电流

二极管反向偏时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流，反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
二极管的两级之间电容：势垒电容和扩散电容。这两个电容与反向恢复时间有关系。电容越小，反向恢复时间越小，开关性能越好。

二极管从导通状态向截止状态转变时，二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间，在此期间电流反向流过二极管。
即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。

2、稳压二极管

稳压二极管，英文名字 Zenerdiode，又叫齐纳二极管。
齐纳击穿是可逆的，我们把这个特性，用在它的击穿区，用于稳定电压，因为它在击穿区它的电流变化很大，而它的电压几乎不变。在电路中可以起到稳压的作用，所以我们就通俗的称它为稳压二极管。

稳压二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。
齐纳阻抗理想的情况是零，但现实中齐纳二极管具有一定的阻抗。所以，稳压二极管仅在有限的电流范围内进行操作。

Vz，标称稳定电压：是稳压二极管最重要参数。没有之一。

Izt，稳定电流：稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差；高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但是要多消耗电能。

Zzt，表示在标称稳压值和标称稳压电流值下的稳压二极管阻抗。

Izk，表示 稳压二极管反向击穿拐点处的电流。

Zzk，表示 稳压二极管反向击穿拐点处的阻抗。

Vr，表示稳压二极管的反向电压。

Ir 表示稳压二极管在反向电压6.5V情况下的漏电流为5uA。

稳压二极管应用：
稳压二极管不得进行并联，原因在于将会增加允许的功率耗散。
如果两个稳压二极管并联，具有较低稳压电压的二极管将传到大部分电流，所以可能会超出其允许的功率耗散。
如果两个稳压二极管串联，正向串联相加，反向串联相减。

稳压二极管适用于保护电源线、电源控制线，并能保护内部电路和IC免受热拔插等引起的过压影响。

3、肖特基二极管

肖特基势垒二极管，SBD。金属与半导体接触形成的金属—半导体结原理制作的。
重要的特性：
比一般的PN结二极管具有更低的正向电压。
是具有极低的结电容和更快的开关速度。
反向电流比一般的PN结二极管大。

4、发光二极管

相同型号的不同发光颜色的二极管通常也会选择不同的限流电阻。
LED的颜色：
  LED的颜色是一项非常重要的指标，是每一个LED相关灯具产品必须标明，目前LED的颜色主要有红色，绿色，蓝色，青色，黄色，白色等。
LED的电流：
  LED的正向极限（IF）电流多在5—10mA。LED的发光强度仅在一定范围内与IF成正比，当IF>20mA时，亮度的增强已经无法用肉眼分辨出来了。
LED的电压：
  通常所说的LED是正向电压，就是说LED的正极接电源正极，负极接电源负极。电压与颜色有关系，红、黄
黄绿的电压时1.7—2.0V之间。白、蓝、翠绿的电压时3.0—3.6V之间。
LED的反向电压Vrm：
  允许增加的最大反向电压。超过数值，发光二极管可能被击穿损坏。

发光二极管应用注意事项：
  若用直流电源电压驱动发光二极管时，在电路中一定要串联限流电阻，以防止通过发光二极管的电流过大而烧坏管子，注意发光二极管的正向压降为1.7~2V。
  发光二极管的反向击穿电压比较低，一般仅有几伏。因此当用交流电压驱动LED时，可在LED两端反极性并联整流二极管，使其反向偏压不超过0.7V，以便保护发光二极管。

5、TVS二极管

防静电

在某些情况下，会有瞬间的高压静电。

加了TVS二极管，可以把静电消除。对IC有一个很好的保护作用。

TVS 瞬态电压抑制器的简称。当TVS的两级受到反向瞬态高能量冲击时，它能以PS秒量级的速度将其两极间的高阻抗变成低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两级间的电压箝位于一个预定值，有效的保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的损坏。

响应速度快
瞬态功率大
漏电流低
击穿电压偏差小
箝位能力强
耐浪涌抑制电压能力特别强

单个TVS二极管适用于直流信号。
两个TVS二极管适用于直流信号和交流信号。

反向截止电压要大于等于信号工作的最大电压。
反向截止电压要高于信号正常工作时候的最高电压， 高电平。

反向截止电压VRWM与反向漏电流IR：
  反向截止电压VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。

击穿电压VBR：
  TVS管通过规定的测试电流时的电压，这是表示TVS导通的标志电压。

最大钳位电压VC：
  TVS管通过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。不能大于要保护芯片的损坏电压。

脉冲峰值电流IPP：
  TVS管允许通过的10/1000us波的最大峰值电流，超过这个电流值就可能造成永久性损坏。

动态电阻：
  RDYN动态电阻是当ESD保护二极管随着反向电压增加而反向击穿时VBR和VC之间V-I曲线的斜率。

CT：
  二极管的等效电容。极间电容会影响TVS的响应时间。

TVS二极管应用与选型要点
TVS的最大反向钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压；

TVS的额定反向关断电压VRWM要大于或等于被保护电路的最大工作电压，若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作；

交流电压只能用双向TVS；

TVS的最大峰值脉冲功率PM必须大于被保护电路可能出现的峰值脉冲功率，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流；

结电容是影响TVS在高速线路中使用的关键因素。不同的结电容，会影响电路接收，USB1.1要小于2PF，USB2.0要小于0.6PF，USB3.0要小于0.3PF。

PCB上，放置ESD器件，最好靠近ESD产生的这个连接器的边缘。

五、三极管

如果，Q2这个三极管，放大倍数是5倍。
R1/R6，也就是Rc/Re，等于三极管的放大倍数。

β*Ib=Ic=Ie

三极管的放大作用实质上是用较小的基极电流信号去控制集电极电流的大电流信号，是“以小控大”的作用，而不是能量的放大。

基极-发射极间的压降与二极管的正向压降相同为0.6—0.7V。设计电路时，讲晶体管的基极-发射极间电压>0.6V，使基极和发射极之间的二极管导通，然后再对电路的其他部分进行计算就可以了。

在设计电路时，BJT三极管作为逻辑开关管的使用非常广泛。BJT管子作为开关管使用时，三极管工作在饱和模式，即BE关闭，CE导通。在进行电路设计时，需要有一个可以量化的设计指标，即基极电流和集电极电流的关系来量化分析。


三极管是通过基极的电流去控制集电极的电流。
MOS管是通过栅极的电压去控制漏极的电流。

三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；

MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。

三个脚的极性判断完后，接下来就是判断是P沟道还是N沟道了：



以上MOS开关实现的是信号切换（高低电平切换），再来看个MOS开关实现电压通断的例子吧。


N沟道： UG>US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
P沟道： UG<US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。

信号切换用MOS管： UG比US大3V—5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。

电压通断用MOS管： UG比US应大于10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，AON6428L，AON6718L，AO4496，AO4712，AO6402A，AO3404，SI3456DDV，MDS1660URH，MDS2662URH，RJK0392DPA，RJK03B9DP。

                    三极管手册解读

电流放大系数，三极管对基极电流检测，控制集电极电流的器件，这就是控制系数。

                    MOS手册解读

七、LOD

LDO原理

LDO是LOW Dropout Regulator的缩写，意思低压差线性稳压器。
、低压差 是指输入电压—输出电压的值比较低。
、线性 是指MOS基本处于线性工作状态。
、稳压器 是指在正常的VIN范围内，输出VOUT都稳定在一个固定值，这个固定值就是我们想要的电压值。比如VIN电压4.4~5V，VOUT始终保持3.3V输出。
、低压差稳压器（LDO）看似简单，但可提供重要功能，例如将负载与不干净的电源隔离开来或者构建低噪声电源来为敏感电路供电。

LDO通常包括一个基准电压源、一个取样输出电压、一个误差放大器和一个串联调整管组成，用放大器控制稳压器的压降维持要求的输出电压值。

输出电压经过反馈电阻分压到误差放大器输入端，当输出电压高于设定值时，内部回路会改变驱动电压，使得管子的导通压降增大，从而降低输出电压。

常见的四种LDO拓扑结构。


、所有稳压器都使用反馈回路以保持输出电压的稳定。
、反馈信号在通过回路后都会在增益和相位上有所改变，通过在单位增益频率下的相位偏移总量来确定回路的稳定性。
、引入反馈的电路必须考虑回路稳定性问题。负反馈越深，也容易自激振荡。
、为了提高放大器在深度负反馈条件下的工作稳定性，一般采用的消振方法为频率补偿（相位补偿）

LDO参数介绍

Dropout
压差是指为LDO实现正常稳压，输入电压VIN必须高出所需输出电压VOUT的最小压差。


如果VIN低于此值，线性稳压器将以压降状态工作，不再调节所需的输出电压。
决定压降的因素是什么？

PMOS LDO
为调节所需的输出电压，反馈回路将控制漏—源极电阻RDS。随着VIN逐渐接近VOUT，误差放大器将驱动栅—源极电压VGS负向增大，以减小RDS，从而保持稳压。
但是，误差放大器输出达到饱和状态之后，无法驱动VGS进一步负向增大。RDS已达到其最小值。将此RDS值与输出电流IOUT相乘，将得到压降电压。

线性调整率
、线性调整率定义了输入变化对输出的影响，即在负载一定的情况下，输出电压变化量和输入电压变化量之比。
、公式：线性调整率=

、要减小线性调整率，可以提高误差运放的放大倍数和增大调整管的跨导。
、LDO的线性调整率越小，输入电压变化对输出电压影响越小，LDO的性能越好。

Line Regulation：输入电压在额定范围内变化时，输出电压之变化率

负载调整率
、负载调整率 是指在给定负载变化下的输出电压变化，这里的负载变化通常是从无负载到满负载。
、公式：负载调整率=
、负载调整率体现了通路元件的性能和稳压器的闭环DC增益。闭环DC增益越高，负载调整率越好。
、和线性调整率一样，负载调整率和误差放大器的放大倍数A及调整管的跨导有关，为了减小负载调整率可以提高这两个量的值。
、LDO的负载调整率越小，说明LDO抑制负载干扰的能力越强。

负载调整率衡量LDO在负载条件变化时仍保持额定输出电压的能力。

PSRR
、LDO优势之一是能够衰减开关电源生成的电压纹波。这对于ADC/DAC、PLL和时钟等器件非常重要，因为含有噪声的电源电压会影响这类器件的性能。
、什么是PSRR？电源抑制比
、LDO的输入源往往许多干扰信号存在。PSRR反映了LDO对于这些干扰信号的抑制能力。
PSRR它规定了特定频率的交流信号从LDO输入到输出的衰减程度。



瞬态响应
、瞬态响应为负载电流突变时引起输出电压的最大变化，它是输出电容Co及其等效串联电阻ESR和旁路电容Cb的函数，其中Cb的作用时提高负载瞬态响应能力，也起到了为电路高频旁路的作用。
、要想实现最佳瞬态响应，闭环回路带宽必须尽可能高，同时还要确保有足够相位余量，以保持稳定性。

通常情况下，Vout端的电流为300毫安到2A之间，Vout端的电容，一般在10uf~47uf之间，最低是4.7uf。

LDO手册解读

不能正常输出，PD = （3.3-1.5 ）* 250mA = 450mW，远远大于所标的值，所以不能正常输出。

LDO设计要点及案例分析

输入电容
、输入电容的主要作用时对调整器的输入进行滤波，另外输入电容也可以抵消输入线较长时引入的寄生电感效应，防止电路产生自激振荡；所以调整器输入端一般采用两个电容并联的设计。较大的电容提供滤波作用，一般取 22uF 左右2；较小电容提供消除振荡作用，一般选用 0.1uF，位置尽量靠近调整器的输入Pin
、注意温度对电容特性的影响
、电容都需80％的降额，钽电容需要50%的降额。

输出电容
、电压调整器的许多性能都受输出电容的影响。其中电容值以及ESR对电路频率响应的影响时最主要的，输出电容以及ESR选择不当，非常容易引起电路的自激振荡。
、一般取22uF左右；较小电容提供消除高频噪声作用，一般选用0.1uF，位置尽量靠近调整器的Pin
、在选择电容的时候还需要考虑温度对容值以及ESR的影响，应该保证在整个温度范围内电路都是稳定的。

为什么芯片手册说用1uF，但是实际中，却用10uF以上的电容。

R744这个电阻是用来作为一个延时的作用。

R748是一个假性负载，是因为这个LDO芯片在静态时需要保持1.7mA的电流，加上这个电阻用来提高静态负载。

LDO电路PCB设计

八、DC-DC原理与电路设计

DC-DC原理

DC-DC原理-BUCK

DC-DC原理-BOOST

DC-DC原理-BUCK-BOOST

DC-DC参数介绍

DC-DC参数介绍-同步和非同步

DC-DC参数介绍-同步

DC-DC参数介绍-非同步

DC-DC参数介绍-同步与非同步选择

DC-DC参数介绍-隔离与非隔离
由于许多应用中都需要输入\输出隔离，所以基于Buck、Boost、Buck-Boost这三种拓扑，推导出了其他的常用拓扑：反激式，正激式，推挽式，半桥式，全桥式


DC-DC参数介绍-效率与损耗

DC-DC参数介绍-Burst Mode-CCM

DC-DC参数介绍-电压控制模式

DC-DC参数介绍-电流控制模式

DC-DC手册解读

、同步与非同步
、输入电压，输入电流，输出电压，输出电流
、输入输出电容选择
、MOSFET选型
、电感选型
、功耗
、纹波和噪声
、上电时序