硅光入门——LiNbO3学习

本文介绍了学习薄膜铌酸锂的过程,包括其电光晶体特性(线性与二次电光效应),以及其在集成光学器件中的优点(宽透明窗口、低损耗等)和传统制作的缺点。着重讲述了基于铌酸锂薄膜的微小集成器件的发展和应用可能性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

        最近开始学习一下大名鼎鼎的薄膜铌酸锂材料。首先在知网上找了一些博士和硕士的毕业论文来看了看,对铌酸锂材料的一些诸如优缺点等特性有了一定的了解。

 概念学习

电光晶体:一种特殊的光学材料,施加电压后折射率会发生改变。

线性电光效应:折射率改变与所加的电场大小成正比,如泡克尔斯效应。

二次电光效应:折射率改变与所加的电场的二次方成正比,如克尔效应。

 为什么要用铌酸锂材料

优点:宽透明窗口(0.35-5um)、低吸收损耗、高二阶非线性光学系数、高电光系数,在电光调制器、可调谐滤波器等集成光学器件中应用前景广阔。

缺点:传统制作的铌酸锂有折射率差小、模场面积大、弯曲损耗大等缺点,不适合大规模集成光路。(铌酸锂薄膜有望解决以上问题)

基于铌酸锂薄膜光波导的一些微小集成光学器件已经被证实:电光调制器、电光可调谐交错滤波器、微环谐振器、光放大器、可调谐布拉格光栅滤波器、二次谐波发生器以及纠缠光子对发生器。

铌酸锂的结构示意

如图,绕Z轴是旋转对称,有三个镜面对称,每个面之间的夹角是60°。定义一个镜面所在的面是YZ面,X轴垂直于YZ面。沿Z轴正方向,氧八面体以此被Li,Nb和空位填充。施加电场,可以改变Li和Nb离子分布,Li会到相邻的空位中,这导致铁电畴取向反转,这是准相位匹配 (QPM) 中使用的周期极化的基础。

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