【精讲】半导体物理入门篇-001：从1956年的诺贝尔物理学奖着手来认识一种极其重要的半导体器件：MOSFET

本篇关键词：半导体物理，半导体基础，半导体入门，MOSFET

图001-01 金属易导电，而绝缘体近乎不导电

如图001-01所示，对于一块金属（Metal）而言，只要我们给这块金属的两端加上一个任意电压，必有一个电流将流过这块金属。而对于绝缘体（Insulator）而言，情况就不一样了。因为绝缘体正常情况下是不导电的！

当我们现在回过头去看1956年的诺贝尔物理学奖，让我们盲猜一下威廉·肖克利（William Shockley）（以下简称Shockley）是如何想到创造出 MOSFET 的思路的：

思考一： 既然金属是导电的，绝缘体是不导电的。那么有没有一种可能，存在一种材料，它是可以导电也可以不导电的？

基于这样的思考，他显然会想到一种名叫硅（Silicon）（以下简称Si）的材料。高中化学告诉我们，Si的最外层有四个电子，是一种较为稳定的绝缘体材料。但是20世纪发展出来的掺杂技术可以对一块纯硅材料进行掺杂工程。

如果在一块硅中注入五价的磷（Phosphorus）元素，那么基于外层八电子的稳定结构的原理，将会多出一个可移动的电子，这个可移动的电子就可以参与导电，这样的话本来是绝缘体的一块硅就变成了可导电的物质。由于此时是电子参与导电，因而我们简称掺杂了磷的硅材料为N型硅。在英文版的教科书中称这种硅材料为N-type。

相似的，如果我们在一块硅中注入三价的硼（Boron）元素，那么基于外层八电子的稳定结构的原理，此时与硅结合在一起的硼最外层的电子层将有一个空位（Hole）没有成键。但妙就妙在这里！

正因为硼原子的最外层有一个空位，它为了让自己成为最稳定的状态，它就必然要从别的地方抢一个电子过去。但是Hole是不会无缘无故消失的！

所以从宏观上来看，明明是电子的运动却可以看作是Hole的运动。

电子往左跑就等于是空穴往右跑。电子往右跑就相当于是空穴往左跑。二者的运动轨迹正好相反（就像正电荷的运动方向是被人为定义成电流的正方向，而负电荷的运动方向被人为定义成电流的负方向）。

因而我们简称掺杂了硼的硅材料为P型硅。在英文版的教科书中称这种硅材料为P-type。

以下是上述内容的示意图，图片来源为《Fundamentals of Modern VLSI Devices》，作者为Yuan Taur (IEEE Fellow) 和 Tak H. Ning (IBM Fellow)。

图（a）显示是纯Si的原子排列。此时最外层八电子结构最为稳固，并不显露导电性；图（b）和图（c）分别为掺了磷和掺了硼的硅材料的原子排布。可见N-type用电子导电，P-type用空穴导电

思考二：但是此时这块硅本来是不导电的，一给它掺杂它就导电了。还是没有达到想让它导电时导电，不导电时不导电的目的。

基于这样的思考，很容易想到将有两类器件：

1、本来导电，通过控制让它不导电 --> 创造出了Junction FET （J-FET）。

2、本来不导电，通过控制让它导电 --> 创造出了Diode, BJT, MOSFET。

本文以下内容将仅以N-type MOSFET的发明来引发读者的思考，并呼应本篇文章的主题。

1. P-Type Si 和 N-Type Si 如果被制造在了一起，这就是我们常说的Diode。此种器件如果不对P-Type施加正电压，是不会导通的。因为可以想见的便是一种N-P-N的结构（如图001-02所示）。

图001-02 N-P-N结构的器件在通常操作情况下是不导电的

什么样的办法能让原本不导电的N-P-N的结构变成导电的结构呢？

显然，只有把N-P-N 变成N-N-N。这样的话不就可以导电了吗？基于这样的想法，我们可以对图001-02的结构做一种变换，如图001-03所示。

图001-03 一种可导电可不导电的结构题

① 图001-03相较于图001-02，多了两层材料。一层是SiO2，一层是Poly-Si。

SiO2是硅放置在空气中自然而然形成的天然氧化物，是一种绝缘体，且其绝缘能力异常得好。

这层SiO2保证了电流绝不会从有SiO2的地方流出去。 即是说，如果有电流，电流还是从左向右流，而不是从下往上流。所有的电流还是从两个N+的区域流通。

② SiO2上面还有一层Poly-Si。

Poly-Si从本质上来讲就是Si。但是纯纯的Si的造价很高，Poly-Si却很便宜。所以从成本考虑，一个无需导电的东西自然用廉价的Poly-Si来做就行了。

③ 注意看SiO2，它像不像我们在《电磁学》或者《电路》中学过的绝缘介质？

我们知道，绝缘介质的两端如果加上电压变会形成一个电容器！电容器虽然不能通过直流（DC）电流，但是不代表电容器的两端没有电荷积聚！

如果此时我们给Poly-Si加上一个正电压，即SiO2的上表面积聚了正电荷，那么SiO2的下表面就会积聚负电荷，形成了图001-04的情况。

图001-04 一种可导电可不导电的结构设想至此完成

④ 从图001-04中我们可以看出。此时电流可以借由这些SiO2下形成的负电荷移动，形成一个环路。电流开始流动。实现了可关断，可开通的功能。

结尾：

至此，我们走完了Shockley在创造出 MOSFET 时走过的心路历程。我们既感叹于他的极富有创造性的思想，又感叹生不逢时。倘若我辈生于上世纪三十年代，我们是否能抢先Shockley一步想到这样的控制方法，进而夺得诺贝尔物理学奖这一桂冠？

努力吧！中国的年轻人！！

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