本篇关键词:半导体物理,半导体基础,半导体入门,MOSFET
如图001-01所示,对于一块金属(Metal)而言,只要我们给这块金属的两端加上一个任意电压,必有一个电流将流过这块金属。而对于绝缘体(Insulator)而言,情况就不一样了。因为绝缘体正常情况下是不导电的!
当我们现在回过头去看1956年的诺贝尔物理学奖,让我们盲猜一下威廉·肖克利(William Shockley)(以下简称Shockley)是如何想到创造出 MOSFET 的思路的:
思考一: 既然金属是导电的,绝缘体是不导电的。那么有没有一种可能,存在一种材料,它是可以导电也可以不导电的?
基于这样的思考,他显然会想到一种名叫硅(Silicon)(以下简称Si)的材料。高中化学告诉我们,Si的最外层有四个电子,是一种较为稳定的绝缘体材料。但是20世纪发展出来的掺杂技术可以对一块纯硅材料进行掺杂工程。
如果在一块硅中注入五价的磷(Phosphorus)元素,那么基于外层八电子的稳定结构的原理,将会多出一个可移动的电子,这个可移动的电子就可以参与导电,这样的话本来是绝缘体的一块硅就变成了可导电的物质。由于此时是电子参与导电,因而我们简称掺杂了磷的硅材料为N型硅。在英文版的教科书中称这种硅材料为N-type。
相似的,如果我们在一块硅中注入三价的硼(Boron)元素,那么基于外层八电子的稳定结构的原理,此时与硅结合在一起的硼最外层的电子层将有一个空位(Hole)没有成键。但妙就妙在这里!
正因为硼原子的最外层有一个空位,它为了让自己成为最稳定的状态,它就必然要从别的地方抢一个电子过去。但是Hole是不会无缘无故消失的!
所以从宏观上来看,明明是电子的运动却可以看作是Hole的运动。
电子往左跑就等于是空穴往右跑。电子往右跑就相当于是空穴往左跑。二者的运动轨迹正好相反(就像正电荷的运动方向是被人为定义成电流的正方向,而负电荷的运动方向被人为定义成电流的负方向)。
因而我们简称掺杂了硼的硅材料为P型硅。在英文版的教科书中称这种硅材料为P-type。
以下是上述内容的示意图,图片来源为《Fundamentals of Modern VLSI Devices》,作者为Yuan Taur (IEEE Fellow) 和 Tak H. Ning (IBM Fellow)。
图(a)显示是纯Si的原子排列。此时最外层八电子结构最为稳固,并不显露导电性;图(b)和图(c)分别为掺了磷和掺了硼的硅材料的原子排布。可见N-type用电子导电,P-type用空穴导电
思考二:但是此时这块硅本来是不导电的,一给它掺杂它就导电了。还是没有达到想让它导电时导电,不导电时不导电的目的。
基于这样的思考,很容易想到将有两类器件:
1、本来导电,通过控制让它不导电 --> 创造出了Junction FET (J-FET)。
2、本来不导电,通过控制让它导电 --> 创造出了Diode, BJT, MOSFET。
本文以下内容将仅以N-type MOSFET的发明来引发读者的思考,并呼应本篇文章的主题。
1. P-Type Si 和 N-Type Si 如果被制造在了一起,这就是我们常说的Diode。此种器件如果不对P-Type施加正电压,是不会导通的。因为可以想见的便是一种N-P-N的结构(如图001-02所示)。
什么样的办法能让原本不导电的N-P-N的结构变成导电的结构呢?
显然,只有把N-P-N 变成N-N-N。这样的话不就可以导电了吗?基于这样的想法,我们可以对图001-02的结构做一种变换,如图001-03所示。
① 图001-03相较于图001-02,多了两层材料。一层是SiO2,一层是Poly-Si。
SiO2是硅放置在空气中自然而然形成的天然氧化物,是一种绝缘体,且其绝缘能力异常得好。
这层SiO2保证了电流绝不会从有SiO2的地方流出去。 即是说,如果有电流,电流还是从左向右流,而不是从下往上流。所有的电流还是从两个N+的区域流通。
② SiO2上面还有一层Poly-Si。
Poly-Si从本质上来讲就是Si。但是纯纯的Si的造价很高,Poly-Si却很便宜。所以从成本考虑,一个无需导电的东西自然用廉价的Poly-Si来做就行了。
③ 注意看SiO2,它像不像我们在《电磁学》或者《电路》中学过的绝缘介质?
我们知道,绝缘介质的两端如果加上电压变会形成一个电容器!电容器虽然不能通过直流(DC)电流,但是不代表电容器的两端没有电荷积聚!
如果此时我们给Poly-Si加上一个正电压,即SiO2的上表面积聚了正电荷,那么SiO2的下表面就会积聚负电荷,形成了图001-04的情况。
④ 从图001-04中我们可以看出。此时电流可以借由这些SiO2下形成的负电荷移动,形成一个环路。电流开始流动。实现了可关断,可开通的功能。
结尾:
至此,我们走完了Shockley在创造出 MOSFET 时走过的心路历程。我们既感叹于他的极富有创造性的思想,又感叹生不逢时。倘若我辈生于上世纪三十年代,我们是否能抢先Shockley一步想到这样的控制方法,进而夺得诺贝尔物理学奖这一桂冠?
努力吧!中国的年轻人!!
----------------------------------------------------------------------------------------
PS:
1、本人同名微信公众号(隐藏在幕后的强者)同步发行此系列内容。B站同名(并计划发布视频教程)。
2、本人致力于让本科不太好的同学也能入门半导体行业。现创群如下,希望可以和各位共同进步。本课程将包含本科阶段,研究生阶段的全系列内容。敬请期待。
3、 QQ群号:316463717