计组第三章

3.1 存储系统的基本概念

存储器的分类

按层次
按介质
按存储方式
保存易失性

存储器的性能指标

1. 速度

数据传输率 = 数据宽度/存取（储）周期

存取时间 ：启动一次操作，到完成本次操作所经历的时间。分为读出和写入时间
存取周期 ：存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间。即连续两次独立访问存储器操作之间所需的最小时间间隔。 （不懂）
主存带宽：数据传输率。

2. 容量

存储容量 = 存储字数 x 字长 （如 1M x 8位） 字长表示一次存储所操作的数据量

3. 成本

总成本/总容量 = 单位造价

三层架构

CPU - Cache - 主存 - 辅存

3.2

3.2_1 主存储器的基本组成

注意电容和MOS管的配合！
注意存储单元中横纵两条线，横线控制能不能读写，纵线控制写入哪个存储元。
时序逻辑电路的控制作用，先找到地址，再将数据存进去。反复做这样的工作。

数据总线宽度=存储字长。 CPU 既和数据总线连接，又和地址总线连接。
存储总容量 = 存储单元数（2的n次方，n位地址总线数） x 存储字长

增加控制电路：片选信号和读写控制信号

为什么需要片选信号和读写信号？ 因为需要芯片状态稳定才能执行操作，增加片选信号和读写信号，是为了让芯片的电平稳定之后再工作。
低电平有效和高电平有效。

芯片的结构图

一个内存条可能含有多块存储芯片
对存储器进行读和写的操作

芯片的金属引脚对应了芯片内部对外暴露 的各条线

芯片对外暴露多少引脚，由厂商决定

存储容量的确定

寻址与寻址方式

按字节、字、半字和双字寻址
各种寻址之间可以通过移位来进行转换
现代计算机按字节来寻址

本节小结

3.2_2 SRAM 和 DRAM

高频考点

对于RAM 来说，动态并不一定比静态快哦！

DRAM 栅极电容
SRAM 双稳态触发器 （稳！）

栅极电容的结构简单，但需要不断地刷新来保持已有的状态。破环性读出，即读出后就把信息弄丢。
双稳态触发器的优势是稳！！

肉眼可见，双稳态的MOS巨多无比。

对比

集成度和所用的MOS管多不多，不是一个概念哦！！
DRAM 结构简单，所以集成度可以高。 单个 SRAM 所需的MOS 多，所以发热量大，但成本高，所以集成度低。

为什么需要刷新？电容会掉电

行地址 到 行列地址的好处 ？假如原来需要n 跟选通线，都连在一个译码器上，会导致这个译码器负担多大，更庞大。现在，将每个译码器 做成 2分之n 根选通线，这样每个移码器就不会那么庞大了。** 当n 比较大时，（n/2) x (n/2） >> n**