InP/ZnSQDs磷化铟/硫化锌量子点

最新推荐文章于 2024-08-04 00:52:02 发布
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分类专栏： 量子点 文章标签： 产品运营
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InP/ZnSQDs磷化铟/硫化锌量子点

中文名称：磷化铟/硫化锌量子点

英文名称：InP/ZnSQDs

纯度：98%

包装：瓶装

性状：液体/粉末

贮藏：4℃冰箱冷藏避光保存

 吸收发射光谱

 

产品：

近红外二区ZnCdSe/ZnS量子点

近红外二区PbSCdSe量子点

近红外二区油溶性PbS硫化铅量子点

近红外二区水溶性PbS硫化铅量子点修饰羧基、氨基等

近红外二区量子点二硒化铜铟（CuInSe2）

油溶性ZnCdS/ZnS量子点

油溶性CdSe/ZnS量子点

油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子点

以上资料来自齐岳小编axc,2022.10.11
 

Qiyue齐岳生物
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CdSe/ZnS量子点掺杂聚甲基丙烯酸甲酯材料的光致荧光光谱
02-12
将CdSe/ZnS（核/壳）量子点掺入聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），形成（CdSe/ZnS）/PMMA量子点掺杂光纤材料。测量了不同掺杂浓度下的（CdSe/ZnS）/PMMA的吸收谱、发射谱和折射率。与正己烷溶剂中的CdSe/ZnS量子点比较，PMMA基底不改变CdSe/ZnS量子点的吸收和发射峰值波长。在掺杂质量浓度范围0.013~0.130 mg·mL-1内，实验观测到了光致荧光(PL)峰值强度具有单峰并呈指数平方变化的规律。随掺杂浓度的增加，常温下折射率最大可提高0.0013，PL辐射峰波长出现红移并逐步增大，最大红移量受限于斯托克斯频移。红移产生的原因为量子点的二次吸收发射和掺杂浓度效应。
常用材料不同波长的折射率
04-26
常用材料在不同波长的折射率，基本上是全的，大部分和光学手册上的差不多。
磷化铟量子点 InP/ZnS QDs 近红外二区量子点的吸收发射光谱图
weixin_58818240的博客
09-30 646
磷化铟量子点 InP/ZnS QDs 近红外二区量子点的吸收发射光谱图
磷化铟量子点 InP/ZnS QDs
qiyueshengwu123的博客
05-28 278
磷化铟 (InP) 量子点是一种重要的半导体纳米材料，因其良好的光学性能和较低的毒性，成为了替代镉基量子点（如CdSe量子点）的有力候选者。InP/ZnS量子点通过在InP核心外包覆一层硫化锌 (ZnS) 壳层来提高其稳定性和光学性能。ZnS壳层的存在提高了量子点在不同环境条件下的稳定性，包括化学稳定性和光稳定性。在湿度、pH值变化等环境下，InP/ZnS量子点能够保持其优良的光学性能。cdse/zns半导体量子点标记Streptavidin。相关产品：cdse/zns半导体量子点标记链霉亲和素。
巯基化ZnSe/ZnS硒化锌/硫化锌量子点,InP/ZnS磷化铟/硫化锌量子点
weixin_58818240的博客
10-25 278
巯基化ZnSe/ZnS硒化锌/硫化锌量子点,InP/ZnS磷化铟/硫化锌量子点
氨基化ZnSe/ZnS硒化锌/硫化锌量子点,InP/ZnS磷化铟/硫化锌量子点
qiyueshengwu的博客
10-25 308
氨基化ZnSe/ZnS硒化锌/硫化锌量子点,InP/ZnS磷化铟/硫化锌量子点
水溶性InP/ZnS量子点（磷化铟/硫化锌）高亮绿光和红光PL520nm--750nm
weixin_58818240的博客
10-09 254
水溶性InP/ZnS量子点（磷化铟/硫化锌）高亮绿光和红光PL520nm--750nm
氨基NH2,羧酸COOH,马来酰亚胺MAL,叠氮N3,巯基SH修饰InP/ZnS量子点 磷化铟/硫化锌量子点
weixin_58818240的博客
10-18 112
氨基NH2,羧酸COOH,马来酰亚胺MAL,叠氮N3,巯基SH修饰InP/ZnS量子点 磷化铟/硫化锌量子点
量子点InP/ZnS表面修饰抗体偶联|磷化铟-硫化锌荧光量子点修饰抗体偶联药物-齐岳生物
weixin_57466972的博客
03-21 268
量子点InP/ZnS表面修饰抗体偶联|磷化铟-硫化锌荧光量子点修饰抗体偶联药物 别称：量子点InP/ZnS表面修饰抗体偶联服务；磷化铟-硫化锌荧光量子点修饰抗体偶联药物 描述：由于磷化铟量子点材料具有低毒性（不含铅镉等重金属有毒性元素）,且具有优异的发光性质（如荧光发光峰在可见至近红外发光范围内可调,荧光量子产率高,稳定性好）,在生物荧光成像中有较好的应用前景。 磷化铟是一种Ⅲ-Ⅴ化合物,其污染程度远小于传统的重金属材料,具有很高的环境友好性。磷化铟材料已经较好使用于太阳能电池、光纤通讯和电子器件等领
InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究
03-10
用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是:用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的...
InP/SiO
02-25
采用脉冲髙斯激光光束Ζ扫描方法测Μ了用磁控共溅射技术制备的InP/SiO2纳米颗粒薄膜的非线性光学性质。测量结果表明, 在激光波长为585 nm(非共振)的条件下, 经310 ℃退火的薄膜的非线性折射率系数γ的大小为10^{-11}...
半导体材料行业报告：InP 磷化铟衬底
03-20
磷化铟（InP）半导体材料同硅和砷化镓材料相比具有高的 电光转换效率，高的电子迁移率，高的工作温度，以及强抗辐射能力的特点，因而 在民用和军事领域的应用广泛，例如在太赫兹(THz)、激光器、太阳能电池、光电探 ...
论文研究-Effect of Post Thermal Annealing on the Optical Properties of InP/ZnS Quantum Dots Films.pdf
08-14
退火对InP / ZnS量子点薄膜光学性质的影响，张博文，魏志鹏，本文通过热退火技术提高了InP/ZnS核壳量子点薄膜光学性能。在180℃下退火5分钟后，量子点薄膜的发光增强。通过变温和变激发光致发光
Heteroepitaxial growth of InP/GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
02-10
The best scheme of growing InP/GaAs(100) heterostructures was obtained by optimizing the initial low-temperature (LT) InP growth conditions, investigating the effects of thermal cycle annealing (TCA)...
近红外二区（磷化铟/硫化锌）InP/ZnS量子点波长在650-900 nm，齐岳供应
qiyueshengwu的博客
11-24 960
近红外二区量子点发射波长在近红外区650-900 nm的量子点(QDs)由于其波长可穿透深层组织、减小组织自荧光干扰，在生物成像方面应用非常诱人。
多巴胺Dopamine,二茂铁Ferrocene,β-环糊精Cyclodextrin,叶酸FA修饰InP/ZnS量子点(磷化铟/硫化锌)
qiyueshengwu的博客
10-18 275
多巴胺Dopamine,二茂铁Ferrocene,β-环糊精Cyclodextrin,叶酸FA修饰InP/ZnS量子点(磷化铟/硫化锌)
Visual Studio 和 VSCode 哪个好?
Thanks_ks的IT探秘之旅
08-04 3395
本文全面对比了Visual Studio（VS）与Visual Studio Code（VSCode）在开发环境类型、性能资源占用、调试能力、扩展性与社区支持、跨平台兼容性等方面的差异。VS作为全能型IDE，功能丰富但资源需求高；VSCode则轻量级且流畅，通过扩展实现强大功能。两者均拥有丰富扩展库与活跃社区支持，但VS更侧重Windows平台，而VSCode实现真正跨平台。最终，选择应基于项目需求与个人偏好。
【独家首发】基于蜣螂优化算法DBO-GMDH的风电数据回归预测研究Matlab实现.rar
最新发布
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