二苯基环辛炔DBCO修饰InP量子点,多巴胺Dopamine修饰SiO2量子点,二茂铁Ferrocene修饰Ag2Te量子点
传统的II-VI族量子点材料例如CdSe、CdS、PbS等量子点本身含有毒性,且其禁带宽度较为狭窄,制约了其在生产生活中的运用。InP量子点相比于II-VI族量子点材料,本身不含毒性,使其在生物荧光探针有着潜在的运用。然而,InP量子点材料相比于II-VI族量子点在合成过程中仍然存在一些无法克服的缺点,例如较低的荧光量子产率,化学稳定性差和量子点粒径不均一等缺点,严重制约了InP量子点发光性能。为了提高InP量子点的光化学稳定性和荧光量子产率,目前主要采用两种方法:1、通过酸性试剂对InP量子点的刻蚀,例如HF,NH4F等弱酸性试剂,经过酸刻蚀后的InP量子点,虽然效率得到提升由小于1%提升至20~40%,但是整个刻蚀过程难以控制,酸容易对InP量子点过量的刻蚀,引起InP量子点结构的破坏。因为该方法主要是刻蚀InP量子点表面大量的悬空键,减少能量以非光学性质的损耗,以提高其荧光量子产率,但是由于InP量子点尺寸约为1.5~4纳米,经过化学刻蚀后,缺少了第一配体的InP量子点表面变得不稳定,暴露出来的InP表面容易发生氧化,溶解等化学反应而导致量子荧光效率快速降低
采用InP基量子点作为发光层制备了量子点发光二极管,所制备的蓝色、绿色和红色器件,其最大外量子效率分别为1.47%、6.88%和13.62%
相较于II-VI族镉基量子点,InP量子点由于其不含重金属元素的低毒特性引起了人们的关注。近年,随着研究的不断深入,InP基量子点已经可以做到发射波长可调谐,绿光、红光荧光量子产率接近100%等优异的发光特性
产品:
氨基化InP量子点
羧酸修饰InP量子点
马来酰亚胺功能化InP量子点
N-羟基琥珀酰亚胺化InP量子点
叠氮修饰InP量子点
炔基功能化InP量子点
巯基化InP量子点
生物素修饰InP量子点
醛基功能化InP量子点
巯基吡啶化InP量子点
羟基修饰InP量子点
聚异丙基丙烯酰胺功能化InP量子点
硅烷改性InP量子点
硫辛酸包裹InP量子点
二苯基环辛炔修饰InP量子点
四嗪修饰InP量子点
叶酸偶联InP量子点
多巴胺修饰InP量子点
二茂铁修饰InP量子点
β-环糊精修饰InP量子点
链霉亲和素修饰InP量子点
聚硅氧烷包覆InP量子点
聚乙二醇修饰InP量子点
以上资料来自小编axc,2022.10.20