单晶硅基底碳纳米管阵列，蓝宝石基底单壁碳纳米管阵列，生长方式，生长条件控制

单晶硅基底碳纳米管阵列，蓝宝石基底单壁碳纳米管阵列，生长方式，生长条件控制

名称：单晶硅基底碳纳米管阵列
纯度：95%+
存储条件：-20°C，避光，避湿
用途：科研
状态：固体/粉末/溶液

单晶硅基底碳纳米管阵列是一种碳纳米材料结构，其中碳纳米管以阵列形式生长在单晶硅基底上。这种结构通常通过化学气相沉积（CVD）等方法制备。

制备单晶硅基底碳纳米管阵列的主要步骤如下：

单晶硅基底的准备：选择适当尺寸和形状的单晶硅基底，并在其表面进行清洗和预处理，以提高表面的活性和接受催化剂的能力。

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