BJT——bipolar junction transistor
双极——自由电子和空穴都参与导电
基区很薄，掺杂浓度低。发射区掺杂浓度很高，集电区掺杂浓度低，集电结面积大于发射结面积。
发射结正偏，集电结反偏：BJT处于放大状态——放大区
截止区——双结反偏，ce断路
饱和区——双结正偏
Uces饱和电压 锗管0.1v 硅管0.3v ce类似于开关的闭合
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