配合客户开发一款内置功率管是氮化镓的30W案子,芯片用的是JW15158D,集成700V600mR GaN,搭配PWM和同步MOS管合封的100V同步整流芯片,JW7726HAD,DFN5*6封装,内阻10mR.
JW15158D特性:
集成700V600mR GaN
内置高压启动(700V)
配合客户开发一款内置功率管是氮化镓的30W案子,芯片用的是JW15158D,集成700V600mR GaN,搭配PWM和同步MOS管合封的100V同步整流芯片,JW7726HAD,DFN5*6封装,内阻10mR.
JW15158D特性:
集成700V600mR GaN
内置高压启动(700V)