【学习笔记】week5

微纳加工技术综述学习

电子束光刻（EBL）

加工精度：>1 nm
基板准备
将基板（如硅片、玻璃片）清洗干净，去除表面污染物。
旋涂光刻胶（电子束抗蚀剂），并在烘箱中预烘，以去除溶剂，保证胶层均匀性。
光刻胶厚度决定加工深度，一般在几十纳米到几微米之间。
电子束曝光
将样品放入电子束曝光机中。
使用电子枪发射电子束，聚焦后在光刻胶表面进行图案扫描。
曝光过程中，电子束改变了光刻胶的分子结构：
正胶：曝光区域溶解度增加。
负胶：曝光区域溶解度降低。
曝光参数控制：加速电压、电流强度、曝光时间。
显影
将曝光后的样品浸泡在显影液中，去除未曝光区域（正胶）或曝光区域（负胶）。
显影时间和液体浓度决定图案保留质量。
干燥与检查
显影后，样品进行干燥。
使用扫描电子显微镜（SEM）检查图案完整性。
图案转移
将图案转移到基底材料上：
刻蚀：采用干法刻蚀（等离子刻蚀、离子刻蚀）或湿法刻蚀。
金属沉积：在图案区域沉积金属。
去除残余光刻胶，得到微纳结构。#### 飞秒激光加工技术
加工精度：>200 nm

1. 超短脉冲与瞬时能量集中
   飞秒激光的极短脉冲和高峰值功率特性，使能量在极短时间内集中作用于材料表面，引发非线性吸收（电子直接激发，跳过线性热传导阶段）。
   材料的电子-晶格系统在飞秒级时间尺度内剧烈相互作用，导致局部高能状态（如热膨胀、相变）。
2. 热扩散抑制与局域化加工
   激光能量沉积时间远小于热扩散时间，热量无法传递至周围区域，实现微米/纳米尺度的高度局域化加工；
   传统激光依赖热扩散导致的熔化/蒸发被抑制，减少热损伤，显著提升加工精度。
   材料去除：
   材料在强激光电场下电子快速离化，形成等离子体；
   局域电子激发引发晶格剧烈振动，导致材料直接分解或通过库仑爆炸脱离表面；
   超强脉冲的光学压力可直接机械剥离材料
   逐层去除模式：单脉冲仅移除数十至数百纳米厚度的材料层，通过脉冲重复累积形貌（类3D打印机制）。

聚焦离子束光刻（FIB）

加工精度：>1 nm、
使用高能离子束轰击样品表面。
离子束打碎样品分子键，移除材料，实现微纳图案加工。

增材制造（FDM）

加工精度：>50 μm
主要材料：PLA、ABS等热塑性聚合物
原理：
将热塑性材料加热至熔融状态。
熔融材料从喷嘴挤出，并在平台上按设计路径逐层堆积。
每一层快速冷却固化，与上一层粘结形成三维结构。

纳米压印（Nanoimprint Lithography, NIL）

基于机械变形和图案转移的微纳加工方法。它通过将模板上的微纳图案压印到基底上，形成高分辨率图案。
精度：20nm
热压纳米压印（T-NIL）：将基底加热至高于光刻胶的玻璃化转变温度，模板在高温高压下压入光刻胶，随后冷却分离，形成纳米图案。
紫外纳米压印（UV-NIL）：使用紫外光固化光刻胶，通过透明模板压印并曝光，使图案固化。
柔性纳米压印：使用弹性模板在不规则或曲面基底上进行图案转移。
溶剂辅助纳米压印（SA-NIL）：采用溶剂软化光刻胶，降低压印所需压力和温度，适用于柔性材料加工。

自组装

依靠分子间或纳米颗粒间非共价相互作用（如范德华力、氢键、静电力等）自动形成有序结构的纳米制造技术。
加工精度：纳米至微米级。
分子自组装
通过分子间氢键、静电力或范德华力形成规则有序结构。
应用于纳米薄膜、传感器和功能材料。
纳米颗粒自组装
利用纳米颗粒之间的静电作用或表面张力自发形成规则阵列。
常用于制造光子晶体、纳米电极等。
生物分子自组装
以DNA或蛋白质为自组装单元，通过碱基配对或分子识别形成纳米结构。
应用于生物医学检测和药物递送。

经典光刻

通过掩模曝光与化学蚀刻转移图案，包括：
湿法光刻：化学溶液蚀刻。
精度：>1 μm。
等离子体光刻：等离子体蚀刻提高各向异性。
精度：>10 nm。
深反应离子蚀刻（DRIE）：高纵横比结构蚀刻。
精度：>100 nm（深度可达毫米级）。
摄影光刻：紫外线投影曝光。
精度：>10 nm。