读写EEPROM失败 - 原因及对策（附代码）

问题现象描述：

• 往EEPROM里写入一个长度为4字节的数据，
• 再从EEPROM读出这个数据的时候， 发现读出来的数据怎么都不对

原因分析及解决对策

• 原因1：跨页操作多字节读/写E2。
• 解决对策：不要单次跨页操作多字节读/写E2，每次操作的E2地址都保证在同一页内。
• AT24C512的一页为128字节，在写数据的时候，如果一个写周期内字节数超过128个，会在当前页地址内循环写数据，也就是说，超过128字节的数据会把本页开始写的数据覆盖掉。所以，写EEPROM的时候，必须判断一次写入的字节数，然后分页写入。
  
  
  
• 原因2：无时间间隔连续操作读/写E2。
• 解决对策：需要进行连续操作读写E2时，中间增加时间间隔5 ~ 10ms。
  
  
  
• 原因3：操作读/写E2前，外部中断没有关，导致外部中断被触发，打断读/写E2操作，数据出错。
• 解决对策：在操作读/写E2前，关闭外部中断，等到读/写完成后，再把外部中断打开。
• 代码举例：

     
     EXTI->IMR &= ~(EXTI_Line1);			// 关闭外部中断
     EXTI_ClearFlag(EXTI_Line1);	        // 清除外部中断标志位
  
     此处进行E2读写操作
  
     EXTI->IMR |= EXTI_Line1;				// 打开外部中断