如何让Windows应用程序在后台全速运行?

在 Windows 计算机上执行多任务时,一些应用程序和程序会进入后台,而其他窗口则在前台。 然后,在后台运行的应用程序和程序只剩下最少的系统资源(包括 CPU)来运行它们的操作,而大部分资源则保留给在前台运行的应用程序。

默认情况下,Windows 操作系统只为低优先级任务保留 20% 的 CPU 资源,这意味着它们在后台运行。 如果您的应用程序在运行于其他应用程序之上时表现良好,但在转移到后台时性能下降,那么您可以通过增加为低优先级任务预留的 CPU 资源来获益。

在本文中,大眼仔将向您展示如何增加 Windows 计算机上后台应用程序的预留 CPU 资源。

为低优先级任务保留的 CPU 资源

Windows 注册表是写入操作系统操作的所有策略、规则和参数的地方。 简而言之,它是一个大型数据库,告诉 Windows 操作系统如何运行以及其他关键值。

注册表中的一个值是“SystemResponsiveness”,它是一个 DWORD。 此 DWORD 负责控制为 Windows 计算机上的低优先级任务保留的 CPU 百分比。 您可以更改其值以控制后台任务应允许的百分比。

“SystemResponsiveness”DWORD 可以在 Windows 注册表中的以下路径中找到:

 

1

计算机\HKEY_LOCAL_MACHINE\SOFTWARE\Microsoft\Windows NT\CurrentVersion\Multimedia\SystemProfile

如果将注册表设置保留为默认值,您会发现所有低优先级和后台应用程序和程序的总 CPU 消耗超过 20% 时都会受到影响。 这将导致运行速度变慢。

在下面的下一步中,我们将向您展示如何修改此注册表以允许更多 CPU 资源用于后台和低优先级任务。

增加为后台任务和低优先级任务预留的 CPU 资源

通过提高低优先级和后台任务的预留限制,可以确保应用或程序进入后台时,不会因为 CPU 使用率而影响其运行。 现在,由您决定是允许后台应用程序 100% 使用 CPU,还是只增加一定数量。

注册表编辑器

无论哪种方式,请使用以下步骤将 Windows 注册表中保留的 CPU 限制增加到最适合您的百分比:

注意:系统注册表中关键值的错误配置对于您的操作系统来说可能是致命的。 因此,我们坚持要求您在继续该过程之前创建一个系统还原点或一个完整的系统映像备份。

以下是详细操作步骤:

  1. 通过在“运行命令”框中键入“regedit”打开注册表编辑器。

  2. 将以下内容粘贴到地址栏中,按 Enter 键打开:计算机\HKEY_LOCAL_MACHINE\SOFTWARE\Microsoft\Windows NT\CurrentVersion\Multimedia\SystemProfile

  3. 双击 DWORD“SystemResponsiveness”。

  4. 将“十六进制”更改为“十进制”,然后在“数值数据”文本字段中输入 1 到 100 之间的值。 然后单击确定。

计算机重新启动后,将应用对 Windows 注册表的更改。 您现在应该注意到后台应用程序运行得相当快。 这是因为他们现在可以访问更多的 CPU 资源来进行计算。

除了上面给出的方法,您还可以使用以下 .REG 文件,它将保留的 CPU 限制增加到 100%。

 

1
2
3
4

Windows Registry Editor Version 5.00

[HKEY_LOCAL_MACHINE\SOFTWARE\Microsoft\Windows NT\CurrentVersion\Multimedia\SystemProfile]
"SystemResponsiveness"=dword:64

DWORD 值“64”是十六进制的,相当于十进制的“100”。 您可以更改注册表文件中的值(十六进制),然后运行它以相应地更改保留的 CPU 资源。

常见问题

在 Windows 上更改保留的 CPU 资源是否安全?

简短的回答是肯定的,只要您谨慎处理注册表值,从 Windows 注册表更改保留的 CPU 资源是安全的。

您应该更改 Windows 注册表中保留的 CPU 利用率值吗?

更改保留的 CPU 消耗值对您的计算机没有直接影响。 但是,如果您在后台运行多个低优先级的应用程序,它们将开始消耗更多的 CPU 资源,从而为在前台运行的应用程序和程序留下很少的空间。 因此,不建议将低优先级应用程序的上限增加到最大值,因为它可能会减慢在前台运行的重要应用程序的操作。

 

### 使用 Sentaurus TCAD 对 LT LDMOS 进行仿真的设置与参数调整 #### 1. 工程创建与工具配置 在使用 Sentaurus TCAD 对 LT LDMOS 器件进行仿真之前,需先建立一个新的工程并选择合适的工具组合。通常情况下,LT LDMOS 的仿真涉及以下几个方面: - **SProcess**:用于模拟制造工艺过程中的扩散、氧化等步骤。 - **SDevice**:用于分析器件的电学性能及其物理特性。 根据已有资料[^2],可以通过以下方式完成初始配置: - 新建一个项目,并添加 SProcess 和 SDevice 工具到工作流中。 - 配置好输入文件路径以及输出目录位置以便后续查看仿真结果。 #### 2. 几何结构设计 (Geometry Design) 利用 `SDE` 或者直接通过脚本定义 LT LDMOS 的三维几何模型。这一步骤非常重要因为它决定了最终得到的结果是否能够反映真实世界里的情况。对于低温度(Low Temperature, LT)LDMOS 来说,其特殊之处在于采用了较低沉积温度下的外延生长技术来形成源漏区域以及其他重要组成部分。因此,在构建几何形状时应特别注意这些细节特征尺寸比例关系等方面的要求。 以下是简单的 Python 脚本来展示如何用编程方法生成基本矩形框作为起点: ```python import tdmscript as tdm def create_ltdmos_geometry(): # 创建新文档 doc = tdm.newDocument() # 定义材料属性 silicon_layer = tdm.Material("Silicon", thickness=10e-6) # 绘制衬底层 substrate = tdm.Rectangle(-50e-6, -50e-6, 50e-6, 50e-6).setMaterial(silicon_layer) # 添加其他必要组件... pass create_ltdmos_geometry() ``` #### 3. 物理模型设定 (Physical Model Setup) 针对 BJT 瞬态温升问题提到过的 RHS 不收敛现象同样可能发生在 LDMOS 上下文中如果求解器参数不当的话。所以这里建议参照之前的解决办法适当修改 math 设置部分以提高稳定性: ```plaintext Math { Extrapolate Yes RelErrControl No Digits 8 ErrRef(electron) = 1.0E+19 ErrRef(hole) = 1.0E+19 Iterations 50 NotDamped 30 Transient TR Method Newton } ``` 上述代码片段展示了更稳健的一些选项比如增加迭代次数至50次允许更多尝试找到解决方案;改变瞬态积分方案为梯形法则(TR),这种方法相比向后欧拉法(BE)往往能提供更好的数值行为尤其当系统存在快速变化信号成分时更是如此等等改进措施均有助于缓解先前遇到的那种类型的发散难题[^1]. 另外还需要考虑加入热传导方程式以便准确捕捉由于功率耗散引起的局部升温效应这对于评估长期可靠性至关重要. #### 4. 边界条件施加 (Boundary Conditions Application) 为了获得有意义的结果必须合理指定边界条件其中包括但不限于电压电流源加载形式空间分布状况时间演变规律等内容。例如可以在栅极端口应用脉冲波形测试开关速度表现;而在漏极则给予固定直流偏压考察击穿特性曲线走势等情况均可依据实际需求灵活定制相应策略实现全面深入剖析目标对象的各项指标参数水平达到预期目的为止结束整个流程直至满足精度要求为止才可认为完成了全部任务环节的工作量统计汇总报告撰写提交审核批准发布实施等一系列标准化作业程序执行完毕之后才算真正意义上结束了本次专题研究课题探索之旅途上迈出坚实步伐走向光明未来前景广阔无限美好憧憬之中去吧朋友们加油干起来啊! ---
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