S5PV210知识点--第五篇

Embedded porter

于 2023-01-21 13:18:15 发布

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分类专栏：嵌入式学习路程文章标签：嵌入式硬件

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一、内存地址映射

S5PV210属于ARM Cortex-A8架构为32位CPU，拥有32根地址线，32根数据线，属于它是拥有2^32bit的内存空间也就是4G的内存，分配如下图一、图二

三星官方关于S5PV210芯片内存地址映射图

图一

图二
图一和图二都是S5PV210芯片的内存地址映射分配，我们可以清晰的看到各个器件的内存大小以及它们的地址的范围

几种重要的器件

ROM(只读存储器)：只能读出而不能写入信息，通常在电脑主板的ROM里面固化一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统
RAM(随机存取存储器)：可以与CPU直接交换数据的内部存储器，特点是可以随时读写，速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质，与ROM最大的区别是数据的易失性
IROM：完全与上面的ROM的一样，只不过它是集成在SOC里面的
IRAM：同理，与上面的RAM是一样的，只不过是集成在SOC里面的
DRAM（动态RAM）：利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0，与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点
SRAM（静态RAM）：所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，SRAM具有较高的性能，但是它的集成度较低，功耗较DRAM大，价格也更贵
SRF：特殊功能寄存器

二、内存外存

内存：内部存储器，主要是用来运行程序的，比如DRAM 、SRAM、DDR内存条

s外存：外部存储器用来存储数据的比如硬盘、Flash、Nand iNand····、 U盘、SSD固态硬盘和光盘等

NOR Flash：一种非易失闪存技术，容量小，价格高，优点是可以和CPU直接总线式相连，CPU上电后可以直接读取，所以一般用作启动介质
Nand Flash： flash存储器的一种，容量大，价格低，缺点是不能总线式访问，也就是说不能上电CPU直接读取，需要CPU先运行一些初始化软件，然后通过时序接口读写。
eMMC:采用统一的MMC标准接口，把高密度NANDFlash以及MMCController封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术

CPU连接内存和外存的连接方式不同。内存需要直接地址访问，所以是通过地址总线&数据总线的总线式访问方式连接的（好处是直接访问，随机访问；坏处是占用CPU的地址空间，大小受限）；外存是通过CPU的外存接口来连接的（好处是不占用CPU的地址空间，坏处是访问速度没有总线式快，访问时序较复杂）

常用系统的内外存使用情况

单片机：很小容量的NorFlash + 很小容量的SRAM

嵌入式系统：因为NorFlash很贵，现在很多嵌入式系统倾向NorFlash，外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM
PC机：很小容量的BIOS（NorFlash）+ 很大容量的硬盘（类似于NandFlash）+ 大容量的DRAM

三、S5PV210的启动过程

S5PV210使用的启动方式是：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM,启动过程如下图三

S5PV210启动过程

图三

①iROM可以做初始启动:初始化系统时钟,设备特定的控制器和启动设备
②iROM引导代码可以加载引导载入SRAM。引导加载程序称为BL1。然后在安全引导模式下，iROM验证BL1的完整性
③BL1将执行，BL1引导代码可以加载引导载入SRAM，引导加载程序称为BL2，然后在安全引导模式下验证BL2的完整性
④BL2将执行，BL2 控制DRAM控制器初始化，加载操作系统数据更快
⑤最后,跳转到操作系统的起始地址。这将为系统的使用创造良好的环境

启动大致过程

S5PV210内置了一块96KB大小的SRAM（叫iRAM），同时还有一块内置的64KB大小的NorFlash（叫iROM）,启动大致过程

1. CPU上电后先从内部IROM中读取预先设置的代码（BL0），执行。这一段IROM代码首先做了一些基本的初始化（CPU时钟、关看门狗···）（这一段IROM代码是三星出厂前设置的，三星也不知道我们板子上将来接的是什么样的DRAM，因此这一段IROM是不能负责初始化外接的DRAM的，因此这一段代码只能初始化SoC内部的东西）；然后这一段代码会判断我们选择的启动模式（我们通过硬件跳线可以更改板子的启动模式），然后从相应的外部存储器去读取第一部分启动代码（BL1，大小为16KB）到内部SRAM

2. 从IRAM去运行刚上一步读取来的BL1（16KB），然后执行。BL1负责初始化NandFlash，然后将BL2读取到IRAM（剩余的80KB）

3. 从IRAM运行BL2，BL2初始化DRAM，然后将OS读取到DRAM中，然后启动OS，启动过程结束