短路后芯片死机,负载烧坏
电路原理图
如下图(图1)电路因为负载有短路的风险,在负载端出现短路时,芯片输入电压被迅速拉低,导致不能芯片死机不能关断输出,负载烧坏的情况:
实测芯片VDD电压端在负载短路后在10us左右被拉低到2V以下,导致芯片死机没有关断驱动,负载烧坏(芯片正常工作电压2.1V以上,且芯片判断短路需要20us才能关断驱动)这就要保证在短路发生后20us内芯片VDD端电压不能低于2.1V

短路后表现
下图2黄色线是短路之后VDD上的电压,在10us以内芯片端电压掉到2V以下

改进后,短路芯片关断驱动
改进电路原理图
如下图3,按照短路后要求芯片VDD电压不能掉太快,增加了4.7Ω电阻和22uF电容(电阻起到的作用是减缓电容放电限制VDD端电压下降);

改进后短路表现
实际测试如下图4,在短路后VDD端电压在50us内电压还在2.1V以上,保证芯片芯片主动关断驱动输出

总结
上面加了电阻和电容,电阻的作用是为了减缓电容电压放电速度的,网友提到了分割电源域的概念,大概就是负载端的电压和芯片VDD的电压不是直接关联的,被电阻“隔离了”,负载端短路电压被拉低,而电阻和电容减弱了负载短路对VDD的电压影响;