有关flash的操作

     一般的单片机里面都会集成可编程的FLASH存储器，用于程序代码和非易失数据的存储。现行单片机FLASH的大小有32KB，64KB,128KB,256KB等。从汇编角度来操作FLASH的话，则需要用MOVX指令进行在线编程。一旦FLASH位被清零，只能通过擦除才能将其志为1状态。

   我们对FLASH的操作分为三种：读FLASH，写FLASH以及擦除FLASH。

   读FLASH：在进行读FLASH时并没有改变FLASH里面的值，因此没有什么需要特别需要注意的情况。在此不作详细解读。

   在包含写和/或擦除FLASH存储器的代码的任何系统中，为了保证FLASH内容的完整性，必须使能VDD 监视器并将其设置为复位源。而且在使能VDD 监视器和将其使能为复位源之间不应有延时。在VDD 监视器被禁止或未被使能为复位源期间，对FLASH 存储器执行任何擦除或写操作都将导致FLASH 错误器件复位。

   用软件写和擦除flash时受flash锁定和关键码功能的保护。在进行FLASH 操作之前，必须按顺序向FLASH 锁定和关键码寄存器（FLKEY）写入正确的关键码。关键码为：0xA5，0xF1。写关键码的时序并不重要，但必须按顺序写。如果写关键码的顺序不对或写入了错误的关键码，FLASH 写和擦除操作将被禁止，直到下一次系统复位。如果在正确写入关键码之前进行了FLASH 写或擦除操作，FLASH 写和擦除也将被禁止。每次FLASH 写和擦除操作之后，FLASH 锁定功能复位；在进行下一次FLASH 写或擦除操作之前，必须重新写关键码。

一：擦除FLASH 操作步骤：

FLASH 存储器是以1024 字节的页为单位组织的，擦除操作将擦除一个整页（将页内的所
有字节置为0xFF）。擦除一个1024 字节页的步骤如下：
1． 保存当前中断状态并禁止中断。
2． 置1 程序存储器擦除允许位（PSCTL 中的PSEE）。
3． 置1 程序存储器写允许位（PSCTL 中的PSWE）。
4． 向FLKEY 写第一个关键码：0xA5。
5． 向FLKEY 写第二个关键码：0xF1。

6． 用MOVX 指令向待擦除页内的任何一个地址写入一个数据字节。
7． 清除PSWE 和PSEE 位。
8． 恢复操作前的中断状态。

二：写FLASH操作步骤：
用软件对FLASH 字节编程的步骤如下：
1． 保存当前中断状态并禁止中断。
2． 保证FLASH 字节已经被擦除（值为0xFF）。
3． 置位寄存器PSCTL 中的PSWE 位。
4． 清除寄存器PSCTL 中的PSEE 位。
5． 向FLKEY 写第一个关键码：0xA5。
6． 向FLKEY 写第二个关键码：0xF1。
7． 用MOVX 指令向1024 字节扇区内的目标地址写入一个数据字节。
8． 清除PSWE 位。
9． 恢复操作前的中断状态。

特别注意：写FLASH 存储器可以清除数据位，但不能使数据位置1；只有擦除操作能将FLASH 中的数据位置1。在写入新值之前，必须先擦除待编程的字节地址。