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RSS订阅原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（十二）
Sentaurus Process 是一个高度灵活的多维工艺建模环境。凭借其现代化的软件架构，它为工艺仿真奠定了坚实的基础。Sentaurus Process 采用经过验证的校准方法，基于广泛的、最新的实验数据进行了校准，为现代硅技术和非硅技术提供了独特的预测能力。在本模块中，您将通过一系列复杂度递增的示例进行学习。这些示例将介绍最广泛使用的 Sentaurus Process 命令。本模块仅讨论给定示例中使用的参数和选项。有关命令的详细信息，请参阅《Sentaurus™ Process 用户指南》。
2025-12-29 14:46:56
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（十一）
摘要：Sentaurus DeviceWizard是Sentaurus Workbench中的工具，用于简化TCAD器件仿真流程。它通过图形界面提供预置应用示例库（包括功率器件、存储器等20多类），帮助用户快速生成设备输入文件并自动创建可视化工具实例。该向导通过5步操作（选择应用-设备-任务-参数-确认）生成带注释的命令文件，同时配套生成网格结构和参数文件，显著降低仿真复杂度。特别支持初学者使用，并兼容后续的Sentaurus Visual结果分析。
2025-12-23 16:20:19
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（十）
Sentaurus Workbench优化框架是一种高效提取TCAD仿真信息的工具，提供参数优化、敏感性分析和响应面建模等功能。该框架通过Python脚本定义优化参数、目标与约束，并支持多种优化算法组合使用。示例展示了沟槽栅NMOS器件导通电阻优化过程：首先定义工艺参数nepi1D和pwellD作为优化变量，以最小化导通电阻为目标，同时约束击穿电压不低于80V。优化策略采用初始搜索（Sobol序列采样）结合局部最小化（SLSQP算法）的方法，最终在满足约束条件下找到最优工艺参数组合。优化结果通过场景管理功能
2025-12-19 17:13:03
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（九）
Sentaurus Workbench的树导航功能通过节点编号系统实现工具间数据交换，支持预处理命令和特殊结构（如@node@）进行动态节点引用。用户可通过快捷键查看节点编号和参数值，并利用冒号(:)和竖线(|)操作符进行列内和跨工具导航。系统提供多种保留关键字（如@previous@、@experiment@）用于数据访问和执行依赖管理。节点执行顺序可通过#setdep命令控制，支持有限并发模式来优化资源利用。此外，/i和/o选项允许精确指定输入输出文件引用，特别适用于Sentaurus Structur
2025-11-03 18:46:36
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程 （八）
Sentaurus Workbench 中的参数和变量引用方法摘要： 参数引用需用@符号包裹参数名（如@param1@），支持多种引用方式，包括垂直/水平节点偏移和全量引用（如@param1:all@）。参数会在流程中创建分支，而变量则用于工具间数据交换且不改变流程结构。变量可通过#set命令定义，分为用户定义变量和运行时提取变量。运行时变量需通过特定格式（如DOE:<变量名><值>）写入输出文件。建议预处理时初始化提取变量以避免错误。变量值可在结果表或节点浏览器中查看，隐藏变量使用
2025-10-23 11:00:00
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原创 PMIC（电源管理）中DC/DC转换器的闭环稳定性设计逻辑
DC/DC转换器闭环稳定性设计的关键在于通过负反馈、小信号建模和补偿网络实现系统稳定。负反馈核心是提升电压精度和动态响应，但功率级的二阶谐振特性会导致相位裕度不足。频率补偿网络通过调整零点/极点分布来抑制谐振峰、提升相位裕度（通常≥45°），确保系统稳定运行。相位裕度作为稳定性核心指标，反映系统抗扰动能力，设计时需在稳定性（45°-60°）与响应速度间取得平衡。通过波特图分析和补偿网络设计，可优化转换器的稳定性和动态性能。
2025-10-22 16:29:08
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原创 DC/DC 转换器的环路控制方式
本文系统解析了电压模式与电流模式DC/DC转换器的控制原理。电压模式采用单电压反馈环，通过误差放大器调节PWM占空比实现稳压，具有电路简单、成本低的优点，但存在瞬态响应慢、纹波大等缺陷。电流模式创新性引入"电压外环+电流内环"双反馈机制，外环维持输出电压稳定，内环逐周期控制电感电流，配合斜坡补偿抑制振荡，显著提升了动态响应和稳定性。两种模式在功率级结构相似，但控制策略差异导致性能分野：电压模式适用于低成本场景，电流模式则在高性能电源中占据主导地位。设计需重点考虑环路补偿、噪声抑制等工程挑
2025-10-21 16:02:40
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原创 A Scalable 20V Charge-Pump-Based Driver in65nm CMOS Technology
：横坐标为泵频（单位：MHz，对数刻度，范围100–102）；：红色曲线代表“第一级子驱动器（1st subdriver）”，蓝色曲线代表“第二级子驱动器（2nd subdriver）”。：横坐标为电源电压 Vdd（单位：V，范围1–4V）；纵坐标为输出电压 Vout（单位：V，范围0–25V）。纵坐标为输出电压 Vout（单位：V，范围0–35V）。：三条曲线对应不同泵频（Fpump）：10MHz（红色）、25MHz（蓝色）、40MHz（绿色）（负载消耗更多能量，输出余量降低）；
2025-10-09 14:37:51
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（七）
摘要： 本文介绍了Sentaurus Workbench的四个高级功能： 表达式选节点：支持通过逻辑表达式高效筛选实验节点，支持布尔运算与多条件组合； 自定义工具输入：通过修改tooldb.tcl文件可定制工具输入菜单，支持参数化文件配置； 关联文件管理：允许多工具实例共享或独立使用参数文件，并支持材料库调用； 运行时编辑：通过序言命令实现预处理，如自动创建目录和文件替换。案例项目演示了电路参数化与BSIM4模型集成方法。
2025-09-29 16:06:05
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（六）
本文介绍了Sentaurus Workbench中管理项目的主要功能，包括清理项目目录、打包/导入项目、删除项目、使用UNIX终端和命令行操作，以及导出/导入场景。重点讲解了清理项目目录的步骤和注意事项，项目打包的加密压缩方法，以及如何通过命令行实现自动化操作。此外，详细说明了场景数据的导出导入流程，包括列映射、标题行处理和预览功能，便于参数化实验的批量管理和跨工具数据交换。这些功能为项目管理和数据处理提供了灵活高效的解决方案。
2025-09-26 16:50:48
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原创 Sentaurus TCAD仿真教程（五）
本文介绍了Sentaurus Workbench的偏好设置功能，包括访问方法（F12键或菜单栏）、修改默认文本编辑器（如将gedit替换为jEdit）和调整项目视图方向（水平/垂直）。水平布局适合复杂多分支项目，垂直布局则适用于简单线性流程。所有设置支持用户/站点/全局三级应用范围，并可通过图形界面直观操作。这些自定义选项能有效提升EDA工作流的可视化效果和操作效率。
2025-09-23 09:27:06
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（四）
在 Sentaurus Workbench 中，可以定义参数并为其分配多个值，以在实验（模拟）中创建分叉。对于两个参数 P1 和 P2，分别有 M 和 N 个值时，则会有 M × N 个可能的实验。您可以选择运行全部实验，或创建称为"场景"的实验子集。您可以使用节点资源管理器（见第 2.5 节“显示节点输出和节点信息”）查看节点 1 的输入文件（pp1_fps.cmd），并确认参数已成功替换为节点 1 的对应值。例如：创建名为"high_energy"的场景，仅包含注入能量高于50 keV的实验。
2025-09-22 08:36:27
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原创 Sentaurus TCAD 仿真教程（三）
摘要：本文介绍了Sentaurus Workbench的项目创建和并行处理设置流程。在创建项目时，用户可选择传统或分层项目结构，通过工具流添加和配置Sentaurus Process等工具，并编辑命令文件。保存项目后即可运行。对于计算密集型任务，Workbench支持共享内存多处理和MPI并行计算，能自动管理CPU核心和内存资源分配。用户可通过工具属性对话框的"并行化"标签配置并行参数，默认自动分配模式可满足大多数需求，显著提升3D模拟等复杂任务的执行效率。
2025-09-19 15:43:44
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原创 Sentaurus TCAD 教程（二）
本文详细介绍了在Sentaurus Workbench中运行SimpleMOS仿真项目的完整流程。主要内容包括：1）项目复制与打开方法；2）节点状态颜色标识系统；3）项目运行操作步骤及节点选择技巧；4）节点输出信息的查看方式；5）仿真结果可视化方法，重点阐述了多节点曲线对比的实现机制，包括全局预设变量和节点特定变量的应用。文中还提供了可视化脚本拼接、预处理注意事项等技术细节，并配有运行界面示意图和结果展示图。该流程适用于半导体器件仿真项目的执行与结果分析。
2025-09-18 10:06:37
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原创 半导体工艺技术LDD,GOX,Spacer
LDD（轻掺杂漏极）是半导体制造中的关键工艺，通过在晶体管沟道与源/漏重掺杂区之间插入轻掺杂区域，有效抑制热载流子效应并减小漏电与寄生电容。该技术通过侧墙工艺实现，包括离子注入、介质沉积、刻蚀等步骤，形成轻掺杂过渡区。LDD结构相比传统结构具有电场分散、漏电流低等优势。随着工艺进步，发展为多层复合侧墙技术，满足更先进节点的需求。该工艺与栅极氧化层（GOX）和图形定义（PG define）等步骤协同工作，共同确保器件性能和尺寸精度，是现代半导体制造的核心技术之一。
2025-09-17 16:27:36
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原创 Sentaurus TCAD仿真教程
Sentaurus Workbench是TCAD Sentaurus仿真工具的图形化集成环境，用于管理和执行模拟项目。它支持两种项目组织结构：传统组织（单一目录存储所有数据）和分层组织（核心文件与结果文件分离）。用户需设置STDB环境变量来启动Workbench，并可附加外部项目目录进行只读访问。Workbench通过图标和颜色区分项目状态，支持参数化分析和结果可视化。分层组织适合大型项目，可提升性能并避免数据丢失。用户可通过菜单、快捷键或工具栏创建新项目，并能将传统项目转换为分层组织。此外，Workben
2025-09-17 09:41:19
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原创 如何使用klayout自带的IDE编辑器建立图层
本文介绍了两种使用KLayout自带Python编辑器创建图层的方法：第一种是通过脚本创建指定参数的矩形图层，包含图层定义、单位转换和图形插入等完整步骤；第二种是模拟MOS管结构的进阶示例，展示了有源区、栅极、接触孔和金属连接等多图层协同绘制。两种方法均基于pya模块直接操作GDSII数据，无需依赖第三方库。文章强调实际应用中需根据工艺要求调整图层编号和尺寸参数，并提供了从基础图形到器件级设计的完整代码示例，适用于版图设计入门学习和快速原型验证。
2025-09-16 13:58:06
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原创 电性值提取中 SS FF TT
在半导体制造中，电性值提取的SS、TT、FF是描述晶体管工艺角的关键参数。TT代表理想中值，FF表示高速高功耗状态，SS表示低速低功耗状态。这些参数用于评估制程波动对芯片性能的影响，分别在速度、功耗和电压等方面设定性能边界。设计阶段通过EDA工具仿真验证，测试阶段通过晶圆测量反馈实际工艺偏差。需注意FF并非绝对高性能，SS也非单纯低功耗，需平衡速度与功耗关系。
2025-09-15 15:20:05
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