4、CMOS无线接收器中的低噪声放大器全面解析

CMOS无线接收器中的低噪声放大器全面解析

1. 噪声类型及特性

在CMOS无线接收器中，存在多种噪声类型，它们对接收器的性能有着不同程度的影响。
- 感应栅噪声 ：感应栅噪声与非准静态栅电阻密切相关，可视为该电阻的热噪声。其噪声电压 (v_{ng}^2) 可表示为 (v_{ng}^2 = 4kTδr_{g,NQS}Δf)。需注意的是，感应栅噪声部分表现为沟道噪声的电容反射，因此这两种噪声源并非不相关。对于长沟道MOS晶体管，两者噪声电流的相关系数 (c) 等于 (j0.395)，为便于计算，通常假设 (c = j0.4)。
- 1/f噪声 ：1/f噪声（又称粉红噪声或闪烁噪声）在CMOS RF接收器中虽重要，但在GHz频段的低噪声放大器中影响不显著。不过，它对压控振荡器（VCO）和下变频混频器的行为和设计有显著影响。MOS晶体管中1/f噪声电流的功率谱密度（PSD）常见表达式为 (i_{nf}^2 = \frac{K_f^K}{f \cdot ω_T^2 \cdot WL} \cdot Δf)，其中 (K_f^K) 为常数，(f) 是频率，(ω_T) 是截止角频率，(WL) 是晶体管面积，噪声源位置与经典漏极噪声相同。
- 散粒噪声 ：散粒噪声由肖特基首次提出，基于电荷的离散性。当电流通过势垒时，由于单个电荷到达时间的离散性会产生噪声电流。其功率谱密度平坦，属于白噪声。散粒噪声电流 (i_{nsh}^2) 可表示为 (i_{nsh}^2 = 2qI_{DC}^IΔf)，其中 (q) 是电子的基本电荷（约 (1.6 × 10^{-19} C)），(I_{DC}^I) 是通过势垒