半导体中的电子状态

 校历第四周计划（9.16-9.22）：学习半导体中的电子状态

上次组会的一些问题：

1. 金属为什么可以导电？（已解决：见知识点三第8点）

2. 激光器的三大条件（增益（半导体）、谐振腔、反转分布）

预备知识一：金刚石晶格结构：如下图，由面心立方单元的中心到顶角引8条对角线，在其中互不相邻的4条对角线的中点，各加一个原子。

预备知识二：晶向：以简单立方晶格为例，立方边OA的晶向为【100】；面对角线OB的晶向为【110】；体对角线OC的晶向为【111】。

• 知识点一：晶体中的共有化运动

1.  组成半导体器件的单晶体是由靠的很近的原子周期型排列组合而成，原子间距级别为纳米，故晶体中原子数量巨大；
2. 原子中的电子在原子核和其他电子的作用下，分列在不同能级上，形成电子壳层——1s;2s,2p;3s,3p,3d;4s....（各层能量不同）；
3. 晶体中原子数量巨大，原子的内外电子壳层相互交叠，最外层交叠最多，内层交叠较少；
4. 交叠的壳层上的电子能量相同，故电子可以在不同原子上的壳层运动，因而电子共有化运动应运而生；
5. 外层电子共有化运动显著。

• 知识点二：电子共有化运动时的能量

1. 孤立的原子如图1-6左所示，能级是简并的（在量子力学中，原子中的电子，由其能量确定的同一能级状态，可以有两种不同自旋量子数的状态，该能级状态是两种不同的自旋状态的简并态）
2. 图右是八个原子相互靠近时能级分裂的情况
3. 分裂的能级组成一个能带，分裂的每一个能带称为允带，允带之间没有能级称为禁带
4. N个原子结合的晶体，s能级分裂为N个十分靠近的能级，形成能带，共有N个公有化状态（能带包含的能级）p能级分裂为3N个十分靠近的能级，晶体中，能级可视为是连续的。

•  知识点三： 半导体中电子的状态和能带

1. k是平面波波数矢量，简称波矢，h为普朗克常量h=6.62607015×10^（-34） J·s
2. k描述晶体中电子的共有化运动状态，不同的k标志着不同的共有化运动状态       

3. 对于波矢k确定的电子能量E、动量p、速度v均有确定的数值。因此波矢k可用来描述电子运动状态。

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7. 硅、锗等半导体属于金刚石结构，III-V族化合物大多属于闪锌矿型结构，它们的布里渊区与上述的相同。
8. 组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的（金属为什么能导电？）
9. 绝缘体和半导体能带类似，在T=0k时不导电（价带为满带，导带为空带），温度升高或者有光照时，满带有少量电子被激发到空带中，能带底部有少量电子在外电场的作用下起导电作用。另外满带中由于少了一些电子，出现的空的量子状态常被称为空穴，也参与导电，这是与金属导电的最大差别。
10. 室温下，金刚石禁带宽度为6-7ev，硅：1.12ev，锗：0.67ev，砷化镓1.43ev。