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原创 SAS/SATA/NVME

SAS (Serial Attached SCSI), SATA (Serial ATA), 和 NVMe (Non-Volatile Memory Express) 是三种不同的数据传输接口技术,主要应用于硬盘驱动器和固态驱动器(SSD)上。- NVMe SSDs直接连接到主板上的PCIe插槽,提供比SATA和SAS更高的数据传输速度和更低的延迟。- 它支持全双工通信,即同时读取和写入数据,这使得其在需要高带宽和低延迟的应用场景中非常有用。- SATA的典型应用包括个人电脑、笔记本电脑等。

2024-07-10 11:24:36 92

原创 MIPI CPHY和DPHY硬件设计

1,100欧姆匹配。如果使用LP单端信号,建议松耦合。

2024-06-28 18:11:42 381

原创 GMSL2 PoC电路设计

1,

2024-06-28 18:08:59 136

原创 如何计算LPDDR4容量

基于给定参数(16位数据总线宽度,16条行地址线,10条列地址线,8个bank,4个bank group),计算得出的LPDDR4内存总容量为 **4 GB**。\text{每个bank的容量} = 65536 \text{ 行} \times 1024 \text{ 列} \times 2 \text{ 字节}\text{总容量} = \text{每个bank的容量} \times \text{bank数量} \times \text{bank group数量}#### 步骤1:计算每个bank的容量。

2024-06-11 15:04:11 157

原创 电感Q值的意义

**能量储存与损耗比率:** Q值表示电感器储存的能量与在一个周期内损耗的能量的比率。- **谐振特性:** 在LC谐振电路中,Q值越高,谐振峰值越尖锐,带宽越窄。- **滤波器设计:** 在滤波器设计中,高Q值电感器用于实现高选择性的滤波特性。- **谐振电路:** 在谐振电路中,高Q值电感器用于提高谐振峰值和谐振电路的品质,减少能量损耗。- **射频电路:** 在射频电路中,高Q值电感器用于实现高效的信号处理和传输。- **温度:** 温度变化会影响电感器的电阻,从而影响Q值。

2024-06-11 08:33:44 263

原创 eMMC初始化流程

**CMD1(SEND_OP_COND):** 向eMMC卡发送CMD1命令,携带电压范围信息,卡响应其操作条件寄存器(OCR)值。- **CMD6(SWITCH):** 通过发送CMD6命令,可以将卡配置为高电压(1.8V)模式,以提高数据传输速率(如果卡支持)。- **CMD9(SEND_CSD):** 向卡发送CMD9命令,获取卡的CSD(卡特定数据)寄存器值,以了解卡的特性。- **CMD2(ALL_SEND_CID):** 向所有卡发送CMD2命令,卡返回其唯一的卡标识号(CID)。

2024-06-10 17:09:14 467

原创 如何计算DDR带宽,SOC DDR选型,LPDDR5

text{带宽 (GB/s)} = 4266 \text{MT/s} \times 8 \text{bytes} \times \frac{1}{1024 \times 1024} \approx 32.5125 \text{GB/s}每颗内存芯片的数据路径宽度为64位(8字节)。\text{带宽 (GB/s)} = \text{数据速率 (MT/s)} \times \text{数据路径宽度 (bytes)} \times \frac{1}{1024 \times 1024}

2024-06-10 17:04:40 391

原创 NOR flash和NAND flash的区别

**适用场景:** 由于其快速的随机读取速度,NOR Flash 常用于存储固件、引导加载程序和需要频繁读取的小程序,如嵌入式系统中的代码存储。- **读写方式:** 由于每个存储单元都可以独立访问,NOR Flash 的随机读取速度非常快,非常适合执行代码(如固件)。- **适用场景:** 由于其高密度和低成本,NAND Flash 常用于大容量数据存储,如文件系统、媒体存储等。- **缺点:** 写入和擦除速度较慢,单元的密度较低,因此成本较高。写入和擦除速度较快。- **可靠性:** 较高。

2024-06-10 16:42:15 715

MOS作为开关管时候如何用

MOS作为开关管时候如何用

2024-06-23

C-PHY测试,从入门到精通

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2024-06-09

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2024-06-09

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