基于BTS7970电机驱动电路的设计

 

BTS7970B是包含三个独立的芯片NovalithIC家族在一个封装的一部分：一个P-通道高边MOSFET和一个N沟道低边MOSFET一起使用驱动器IC，形成一个完全集成的高电流半桥。使用芯片的芯片和芯片上的芯片技术这三个芯片安装在一个普通的引线框，。电源开关采用垂直MOS技术，确保最佳状态阻力。

BTS7970B提供了一个保护高电流PWM电机驱动器的成本优化解决方案，其具有占用非常低的电路板空间。

BTS7970B特性：脉宽调制能力高达25 kHz，开关电流限制过电流降低功耗，具有电流检测功能的状态标志诊断，过热关机锁存能力，过压保护锁定，欠压关闭，驱动电路的逻辑电平输入，优化EMI可调摆率。