TPA3255 classD 音频功放快速设计

概述

TPA325X 系列为TI 公司的集成MOSFET classD 单片音频功率放大器。
有以下几个功能特征:

  1. 单边电源供电;
  2. 体积小,最大功率450W(TPA3255,PBTL,THD=1%);
  3. 可选三种架构模式:单端SE模式(4.0);桥接BTL模式(2.0);并行桥接PBTL模式(0.1);
  4. 可选三种classD采样工作频率:450kHz;500kHz;600kHz;
  5. 可选限流级别,并支持CB3C限流模式;
  6. 有完整的保护机制,包括 过流,欠压,过压,过热;并有结温状态显示引脚;
  7. 支持系统多片主从模式设计。

设计

电源设计

  1. PVDD设计:

    应依所需功率合理设计,官方给出设计范围18~53.5V。
    以100W 4Ω 为例:输出20V RMS,Vp=28V,考虑电源线性度除以因素0.8,得出35V。
    电流依系统总功率及效率80%计算

  2. GVDD及VDD设计:

    VDD为IC逻辑控制提供电源,GVDD为驱动MOSFET 提供电源,
    官方给出设计范围:MIN10.8V / TYP12V / MAX13.2V 。此范围小,应使用500mA-1000mA的12V稳压电源。

设计流程

1. 确定系统的架构模式,设计M1,M2电平

在这里插入图片描述

(1)1为DVDD,0为GND;
(2)BTL 模式下,inputA和inputB 作为一组为平衡输入,inputC和inputD 作为一组为平衡输入;
(3)INPUT_C,INPUT_D 必需接GND 才能启动PBTL模式;
(4)输出滤波架构需相应修改。

2. 确定系统功率,设计限流阈值:
通过OC_ADJ引脚串联电阻设定:
在这里插入图片描述

CB3C指允许瞬间过流,音乐功率不是一个恒定的值,特别是低音部分,功率瞬间拉高,
CB3C使得在播放重低音音乐时不被误保护,提高动态。

3. 设计classD 采频率:
通过FREQ_ADJ引脚串联电阻设定:
主模式

频率越高越保真。但是发热会越高,对系统设计要求高,包括热设计,PCB Layout等

4. RESET / FAULT / CLIP_OTW
在这里插入图片描述

依启动时序,RESET应在电源稳定后(开机延时)再作拉高,无系统外3.3v时,用DVDD作高电平。
因TPA325X没有mute引脚,RESET也可作mute控制使用,拉低静音。

在这里插入图片描述

无论什么原因导致的无输出,FAULT都会是“0”状态;
当结温超过125℃时,CLIP_OTW置”0“状态,如结温继续上升到155℃时,FAULT置“0”状态,并关断输出, "OTE"被使能,输出关断锁定,必须重新复位才能启动;
所以一个好的设计应该是这样:检测CLIP_OTW的状态,当CLIP_OTW置“0”时,系统相应减小音量,以防激活“OTE”

5. 输出LC滤波器设计

跟据不同的工作模式选择不同的LC滤波器类型,此电容和电感的选型对音质的影响很大。
电容应选择耐压100V级别的金属皮膜电容。
电感小功率时可选用磁屏蔽式的,EMC表现较好;大功率时应选绕线电感,散热好,线性度好,音质好。
当然不同的磁芯材料对性能音质影响很大,目前做得比较好的class D LC滤波器磁芯是进口的红色磁芯。

6. PCB layout
layout 注意点:
1,使用一个完整的接地平面,使电源具有良好的低阻抗和电感回路电源和音频信号。

2,保持从接地引脚到设备周围PCB区域的连续接地平面尽可能多的接地引脚,因为接地引脚是封装中最好的热导体。

3,PCB布局、音频性能和EMI紧密相连。

4,布线音频输入应保持短距离,并与伴随的音频源接地一起。

6,PVDD线上的小旁路电容器应尽可能靠近PVDD管脚。

7,IC下方的局部接地区域对于保持稳固以最小化地面反弹非常重要。

8,调整无源元件的方向,使无源元件的窄端朝向TPA3255设备,除非无源元件两个焊盘之间的区域足够大,允许铜在两个焊盘之间覆盖。

9,避免在TPA3255设备附近放置其他产热部件或结构。

其它

7,热设计
7,多IC系统设计
8,PFFB 后反馈设计

注意

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