IPW65R041CFD是一款N沟道MOSFET晶体管,具有以下详细参数:
额定电压:650V
额定电流:41A
导通电阻:0.041Ω
最大功率:300W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃至175℃
输入电容:3000pF
输出电容:600pF
开关时间:25ns
关断时间:50ns
该晶体管适用于高效率DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等应用。其低导通电阻和快速的开关时间能够提高系统的效率
IPW65R041CFD是一款N沟道MOSFET晶体管,具有以下详细参数:
额定电压:650V
额定电流:41A
导通电阻:0.041Ω
最大功率:300W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃至175℃
输入电容:3000pF
输出电容:600pF
开关时间:25ns
关断时间:50ns
该晶体管适用于高效率DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等应用。其低导通电阻和快速的开关时间能够提高系统的效率