IPW65R041CFD

最新推荐文章于 2024-08-20 11:07:51 发布
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IPW65R041CFD是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于高效DC-DC转换器和电机驱动。其主要特性包括650V额定电压，41A额定电流，低至0.041Ω的导通电阻以及快速的开关时间（25ns和50ns），这些特点使得它在电源管理和高效率应用中表现出色。
摘要由CSDN通过智能技术生成

IPW65R041CFD是一款N沟道MOSFET晶体管，具有以下详细参数：

额定电压：650V

额定电流：41A

导通电阻：0.041Ω

最大功率：300W

封装形式：TO-247

工作温度范围：-55℃至175℃

输入电容：3000pF

输出电容：600pF

开关时间：25ns

关断时间：50ns

该晶体管适用于高效率DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等应用。其低导通电阻和快速的开关时间能够提高系统的效率

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