IRF840PBF Infineon 英飞凌

IRF840PBF是一款由Infineon Technologies生产的功率MOSFET晶体管，以下是其详细参数：

• 极性：N沟道

• 最大漏极-源极电压（VDS）：500V

• 最大漏极电流（ID）：8A

• 最大功率耗散（PD）：125W

• 静态漏极-源极电阻（RDS(on)）：0.85Ω

• 门极-源极电压（VGS）范围：±20V

• 最大导通电阻温度系数（dRDS(on)/dT）：0.5Ω/℃

• 工作温度范围（TJ）：-55℃ ~ 175℃

• 封装类型：TO-220AB

IRF840PBF具有低漏极-源极电阻、低导通电阻温度系数、高电流承受能力等特点，适用于高效率DC-DC转换器、电源管理、电机驱动等领域。