GE Fanuc IC670FBI001 I/O基座 现场控制基础单元

本文详细描述了GEFanucIC670FBI001I/OBase的电气规格,包括标称电压、输入频率范围、功率消耗,以及其热插拔模块和安全连接功能。
摘要由CSDN通过智能技术生成

描述:现场控制IC670FBI001 I/O 基座的标称额定电压为 115 伏交流电和 125 伏直流电,

输入频率范围为 47 至 63 赫兹。基本单元由 GE Fanuc 制造,

在 48 伏交流电下消耗 115 伏安培的功率,在 24 伏交流电下消耗 125 瓦的功率。

关于IC670FBI001

IC670FBI001 I/O Base 是 GE Field Control 系列的 GE Fanuc I/O Base。

基本单元是支持热插入的连接器式基座,适用于目录号中编号为 IC670C、IC670CH 和 IC670CHS 的产品。

IC670FBI001现场控制基础单元具有一个带栅栏端子的接线端子,该端子具有键控槽,可以正确安装模块。

I/O接线端子具有热插入功能,用于安装模块并提供安全的模块安装方法。

IC670FBI001底座有一个突出的对准槽,可以轻松安装模块,并且不会影响系统中连接的其他设备。

尽管模块的安装不需要使用任何特殊工具,但用户必须意识到,正确对齐和安全的电缆连接是系统正常工作的必要条件。

GE Fanuc IC670FBI001 I/O Base 连接到电压范围为 90 至 135 伏交流电或 105 至 150 伏直流电的电源。

额定电压为 115 伏交流电和 125 伏直流电。除此之外,接线端子的标准输入频率为 47 至 63 赫兹。

电源输出的电压为 6.5 伏直流电,最大保持时间为 20 毫秒。

当产品连接到 115 伏交流电源时,满载时的最大额定功耗为 48 伏安培。

另一方面,125 伏交流电压满载时的最大功耗为 24 瓦。IC670FBI001 I/O Base 的浪涌电流峰值为 20 安培,最大持续时间为 3 毫秒。

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