动词不定式 to do 和 动名词 V-ing 的区别(infinitive vs gerund)

非谓语动词(动词不定式 infinitive - to do | 动名词 gerund - V-ing)

动词用原型的情况:
  • 情态动词后面: can, may, must, should, ought to, had better, would rather
  • 实义动词后面: make, let, have

“感觉”不同:
  • will do : 有“意愿”做,只是“意愿”,还没有行动;
  • be going to : 为做这个事已经付诸行动(已经在去做的路上);
  • be about to do : 已经在这个行为的“周围”,马上就要发生了。

to do 和 V-ing 的区别:
  • to do : 将来动作,未发生;2. 表示“目的。
  • V-ing : 正在进行 current;2. 完成动作 completed。

多数形容词后面都是加 to do,除了以下特例:
  • be busying to do ( busying是形容词,正在忙于)

以下即可以加 to do,也可以 V-ing,但是意思却是不一样的:
  • remember to do : 表示记得要去做某事(未发生)- future

    remember doing: 表示记得我已经做了某事(已完成)- completed

  • forget to do : 表示忘记了要去做某事,没有去做它(未发生) - future

    forget doing : 表示已经做了某事,但是忘记了做了它(已完成) - completed

  • regret to do : 表示还没有做某事,对于没有做此事表示遗憾或后悔(未发生) - future

    regret doing : 表示已经做了某事,对于做过的这件事表示后悔或遗憾(已完成)- completed

  • continue to do : 表示停止做事情A,继续去做另一件不同的事情B / continue to do B (未发生)- future

    continue doing : 表示暂时中止做事情A,比如去上个小便,上完小便后,再继续做上小便之前的事情A / continue doing A (已发生)

  • stop to do : 本来要去做某事,但是现在改变主意不做了,所以停止去做某事 (未发生)- future

    stop doing : 表示停止刚刚正在做的某事 (已发生)


suggest意思是“建议”时,特殊用法:
  • 主动: 1. suggest doing 2. suggest that sb (should) do sth (从句中要用虚拟语气)
  • 被动: sb is suggested to do sth

作主语和在介词后(to除外),用 V-ing(动名词)
  • 作主语: Swimming is my hobby.
  • 介词后: I’m concerned about not passing my math exam.
汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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