一:Flash存储器 -----NOR Flash
特点:
1 非易失性存储器
2 应用程序可以直接在闪存内运行
3 NOR Flash的传输效率很高,在1MB~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能
4 驱动读写支持简单
二:Flash存储器 -----NAND Flash
特点:
1 非易失性存储器
2 在物理上分成若干个区块,区块之间相互独立
3 先擦后写,只能将数据位从1写成0,不能从0写成1,写入之前必须先执行擦除操作,擦除操作的最小单位是一个区块
4 写操作需要专门的驱动程序支持,驱动操作时候需要一段时序才能将数据写入
5 由于Flash的固有特性,在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免,只能通过其他手段对结果进行事后处理
6 代码需要专门的坏块处理机制
7 写入和擦除的速度很快
三:RAM存储器 -----SRAM
SRAM表示静态随机存取存储器,只要供电它就会保持一个值,它没有刷新周期,由触发器构成基本单元,集成度低,每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,因此其成本较高。它具有较高速率,常用于高速缓冲存储器
四:RAM存储器 -----DRAM
DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成,数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失,因而DRAM器件是不稳定的。它必须有规律地进行刷新,从而将数据保存在存储器中