此次以全志A31为例继续进行拓扑约束分析,以达到深入理解和灵活运用的目的。
A31具有双通道64bit带宽的处理器,此与以前在设置分析1和2节中的32bit带宽存在一些区别。A31可以进行1拖4和1拖8片DDR3进行数据存储,本文会以1拖4片DDR3进行说明,对其具体的约束特点进行说明,并在详细分析的基础上对其优缺点进行说明。
下图为A31和四片16bit的DDR3器件布局,如下:
CPU和DDR3中ADDR和CLK的拓扑结构(数据线pin to pin不分析)如下图所示:
这样每个通道地址线和时钟线将是1拖2,其实该电路的设计就是将两个32BIT的1拖2合并起来。
以前面3节的总结进行分析,DDR存储器件的约束由以下几部分构成:
1.差分对设置,此包括CLK差分对和DQS查分对约束;
2.地址线/控制线与时钟线相对延时设置;
3.数据线与时钟线相对延时设置;
4.数据线和数据采样差分对相对延时设置;
5.单根时钟线所有分叉线相对延时设置;
6.单根地址线和控制线所有分叉线相对延时设置。
差分对设置
此时
所有差分对设置差分对约束之后,使用此约束对时钟和DQS进行差分约束。100欧姆差分阻抗,长度匹配为正负10mil。
地址线/控制线与时钟线
以时钟线为基准进行延时约束,注意pin pairs设置为all driver/receivers较好。
数据线与时钟线
在进行约束时最好以时钟线为目标,并且将所有DQS设置为Pin Pairs对象后再进行约束后会更好。
数据线和数据采样
以DQS为基准进行延时约束。
单根时钟线所有分叉
每根时钟线1分为2,此约束确保单根时钟线的所有分叉线等长,此时使用拓扑结构约束法效果更好。
单根地址线和控制线所有分叉
此设计中是对每根地址线进行分叉约束,这样非常便于理解,但是进行约束起来工作量非常大。在此时拓扑约束的优点便体现无疑了。