嵌入式系统主要半导体存储器

ARM体系结构中主要半导体存储器
嵌入式系统使用的存储器有多种类型，按其存取特性可分为随机存取存储器和只读存储器；按照所处的物理位置可分为片内存储器和片外存储器以及外部存储设备；按照存取信息的不同可分为程序存储器和数据存储器。
IROM:集成到SOC内部的ROM；
IRAM：集成到SOC内部的RAM；

RAM

RAM：随机存取存储器，可读写。断电后信息不保存。是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存。可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行的程序的临时数据媒介。如计算机内存。
按照存储单元的工作原理随机存储器又分为静态存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）；
SRAM：静态随机存储器，靠双稳态电路的两个稳定状态来记录‘０’和‘１’；工作速度快，只要电源不撤除，写入的信息就不会消失，一次写入可多次读出。直接上电就能使用，但是集成度低，功耗大。一般用来作计算机中的高速缓冲存储器（Cache）；
DRAM：动态随机存储器；利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以电容端电压的高低表示‘1’和‘0’；容量大，价格低，上电后不能直接使用，

ROM

ROM：只读存储器　只能读出信息不能写入，要写入数据时，借助相关的控制器接口。断电后信息仍然存在。主要用来存储永久性数据的程序，不能运行程序也不能保存程序运行时的数据。如：电脑硬盘。

MROM：是基于掩膜工艺技术的只读存储器，出厂时已决定信息‘０’和‘１’，因此生产出来信息不可改变。主要用于不可升级的成熟产品存储程序或不变的参数。

PROM：是一次性可编程的只读存储器，只能一次编程，通过外接一定的电压和电流控制内部存储单元上节点熔丝的通断决定信息的０和１.

EPROM：是紫外线可擦除可编程的只读存储器，通过内部设置栅场效应管是否充满足够的电荷决定信息的０和１。稳定性号，但是编程速度慢，擦除时间长。

EEPROM：是一种可以电擦除可编程的只读存储器，可以在线改写和擦除信息。

Flash　ROM：闪速存储器，原理是从EEPROM的基础上改进发展而来，擦除和编程速度快。

NAND Flash ROM：以页（行）为单位随机存取，在容量使用寿命和成本方面有较大优势。但是读出速度稍慢，编程较为复杂，一般作为数据存储器使用。

NOR Flash ROM：以字节为单位随机存取，程序可以直接运行。但是器写入和擦除速度较慢。