什么是SLC或MLC？有两种不同类型的NAND闪存。其一叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；其二叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。
从性能上讲应该是SLC优于MLC，MLC型NAND闪存颗粒采多层单元技术，以日系厂商东芝为代表，主要采用0.13微米的制造工艺，相比SLC而言，使用多层单元技术的MLC闪存芯片存储密度较高，价格更有竞争力。但MLC读写速度较慢、能耗也比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗，因此使用寿命较短，一般稳定存取次数在一万次左右。MLC型闪存芯片的优势还是在于它的成本，可以很方便的提高产品的存储密度，而无需额外投资生产设备。而SLC单层单元技术由韩系厂商三星推出，主要采用0.9微米制造工艺，目前已经有更高的0.6微米的产品推出，单层单元技术的单元存取时间在25 us，在能耗上也要低于MLC，多使用1.8V电压，采用SLC 闪存芯片使用在这些移动产品上更能提高移动设备的节能要求，同时也延长了使用寿命，可以保证十万次左右的稳定存取。 SLC和MLC相比有个较大的缺陷在于，SLC在制作超过1GB的闪存芯片时良率太低，而在对移动存储容量要求越来越高的市场要求下，更大容量的4GB、8GB甚至16GB闪存芯片目前只有采用MLC技术制作。
SLC的优势何在？对于MLC闪存，不幸的是每单元储存多个数据的能力却带来的可靠性和性能上的劣势。读写速度减慢不少。降低10倍的读写寿命。更短的数据保存时间。SLC闪存有着比MLC闪存更好的性能，更长的寿命，更高的可靠性等优点。
参考 博客http://blog.sina.com.cn/s/blog_4c93430201009rcr.html
NOR和NAND
和PC一样，嵌入式系统的OS，同样要在RAM上运行，这有别于一般的单片机编程：程序直接在ROM中运行，只将变量、堆栈等放在RAM中。所以把代码从存储器拷贝到RAM中，变成了 bootloader的工作之一。一般的，嵌入式系统的存储器以Flash应用最广，Flash分为两种：norFlash和nandFlash，打个不 恰当的比方，norFlash相当于ROM，程序可以直接在其上运行，nandFlash相当于硬盘，只负责存储程序。所以一般的bootloader代 码都存储在norFlash中，上电后芯片可直接读取其上的代码来运行，而S3C2410芯片比较特别，以它为平台构建的系统可以用nandFlash来 储存bootloader。因为它自带了4K的RAM，上电后通过硬件机制将存储器中的前4K代码拷贝到芯片自身的RAM里
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
可*性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可*性。
寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可*性。
坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
与非门的FLASH是相对或非门的FLASH而言
两者除了在设计上采用了NAND和NOR实现这个主要区别外，有如下主要区别：
1。总线接口上，NOR的接口类型一般的总线接口，与SRAM器件相似。NAND则是IO接口，需要另外逻辑才能作为MEMORY
(当然是厂家做好了的)
2。NOR的器件支持随机访问，而NAND的只支持顺序访问。因此NAND一般用在大规模存贮，而NOR的用于存程序代码，
直接运行程序。而NAND放程序时，要先LOAD到RAM中再跑
3。NOR的每个CELL占更大的面积，NAND的小多了，因此同样容量的价格NAND的低很多
参考 http://zhidao.baidu.com/question/99794573.html?fr=qrl&fr2=query
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