STM32H7的flash基础知识

◆ 本章 2.5 小节里面的 Flash 三级读保护是重点，务必要掌握明白。
◆ STM32H743XI 有两个独立的 BANK，一个 BANK 的编程和擦除操作对另一个 BANK 没有任何影响。
但是如果用户应用程序和要擦写的 Flash 扇区在同一个 BANK，在执行擦写操作时，用户应用程序将停止运行，包括中断服务程序。
◆ STM32H7 的两个 Flash BANK 是 256bit 带宽，CPU 访问是采用的两个 64bit AXI 总线。
◆ HAL 库的内部 Flash 编程函数 HAL_FLASH_Program 固定编写 32 字节数据

硬件框图

通过这个框图，我们可以得到如下信息：
sys_ck 时钟输入
D1 域总线时钟。
po_rst 输入
Power on reset 上电复位。
d1_rst 输入
D1 域系统复位。
flash_it 输出
flash 中断请求输出。
STM32H7 的两个 Flash BANK 是独立的，读写和擦除互补影响，256bit 带宽，CPU 访问是采用的两个64bit AXI 总线。

内部flash框架

关于内部 Flash 的框架，了解以下几个知识点即可：
256bit 为单位，即 32 字节，并且每个单位配 10bit 的 ECC 校验位。正是这个原因要求大家对 Flash进行编程时，必须以 32 字节为单位。
两个独立的 BANK，每个 BANK 有 1MB 容量。并且每个 BANK 的扇区大小固定为 128KB，即 8 个扇区。

BANK1 的地址范围：0x0800 0000 到 0x080F FFFF。
BANK2 的地址范围：0x0810 0000 到 0x081F FFFF

内部flash的都操作

STM32H7 的内部 Flash 读操作跟内部 RAM 的读操作是一样的，支持 64bit，32bit，16bt 和 8bit，使用比较简单。这里我们重点普及一个知识点，H7 的内部 Flash 在不同主频下需要做的延迟参数：

对于上面的表格，大家可以看到，当延迟等待设置为 0 的时候，即无等待，单周期访问，速度可以做到
70MHz。增加 1 个 Flash 周期后，访问速度可以做到 140MHz。当增加到 3 个或 4 个 Flash 周期后，最高速度可以做到 225MHz。
了解了这个知识点后，再来看下面的时序，非常具有参考意义：
注：ACLK、ARADDR、ARVALID、RDATA、RVALID 和 RLAST 是 AXI 总线信号。Flash 读和 Flash 数据是 Flash 接口信号。

关于这个时序要要认识到以下几点：
◆ AXI 总线发起读取信号后，Flash 端等待了 3 个时钟周期（注意延迟三个周期，支持的 Flash 速度），之后连续读取了 4 个 64bit 数据。
◆ 由于 AXI 总线是 64bit 的，所以 1 次读取就可以读出 64bit 数据，连续读取 4 次后，就是 256bit，即 Flash 接口的一组数据，因为 H7 的 Flash 接口带宽是 256bit 的。
◆ 如果不开 Flash Cache 的情况下，连续读可以提升性能。
下面是连续读取 8 个 64bit 数据的时序图，跟连续读取 4 个 64bit 数据基本是一样的，只是多读取了 4 组数据。

flash读保护（重要）

内部 Flash 支持三级读保护 RDP（read out protection）。
Level 0（无保护）
默认设置，所有读写和擦除操作都可以正常支持。
Level 1 （Flash 连接保护）
可以防止连接调试器时读取 Flash 内容，或者 RAM 中存有恶意获取代码，也是禁止的。因此只要调试器连接芯片，或者从内部 RAM 启动运行代码，都是禁止访问内部 Flash 的。
如果没有检测到从内部 RAM 启动和系统 bootloader 启动且没有连接调试器，对用户 Flash 的读写和擦除操作都是允许的，并且其它安全存储区也是可以访问的。否则是禁止访问的，一旦检测到对 Flash 的读请求，将产生总线错误。
如果将 Level 1 切换到 Level 0 时，用户 Flash 区和安全区域将被擦除。
Level 2（设备保护和自举保护）
所有调试特性被关闭。
禁止从 RAM 启动。
除了选项字节里面的 SWAP 位可以配置，其它位都无法更改。
禁止了调试功能，且禁止了从 RAM 和系统 bootloader 启动，用户 Flash 是可以执行读写和擦除操作的，访问其它安全存储区也是可以的。