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转载 两种最基本的MOS管——N沟道与P沟道
原文地址:http://blog.sina.com.cn/s/blog_4a3946360100ox71.html在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。
2014-06-06 19:36:59
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转载 运放参数的详细解释和分析-part1-输入偏置电流和输入失调电流【TI FAE 分享】
原文地址:http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/amplifiers/f/52/t/18865.aspx一般运放的datasheet中会列出众多的运放参数,有些易于理解,我们常关注,有些可能会被忽略了。在接下来的一些主题里,将对每一个参数进行详细的说明和分析。力求在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚。由于本人的水平有限,写的
2014-05-22 10:08:45
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转载 最常见16道嵌入式C面试题
原文地址:http://www.360doc.com/content/10/1217/13/5116446_78953767.shtml> 预处理器(Preprocessor)1. 用预处理指令#define 声明一个常数,用以表明1年中有多少秒(忽略闰年问题) #define SECONDS_PER_YEAR (60 * 60 * 24 * 365)UL 我在这
2014-05-15 10:22:10
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转载 浅谈电源滤波
1、理论上理想的电容其阻抗随频率的增加而减少(1/jwc),但由于电容两端引脚的电感效应,这时电容应该看成是一个LC串联谐振电路,自谐振频率即器件的SRF(Self-Resonant Frequency)参数,这表示频率大于SRF值时,电容变成了一个电感,如果电容对地滤波,当频率超出SRF后,对干扰的抑制就大打折扣,所以需要一个较小的电容并联对地,可以想想为什么?原因在于小电容的SRF值大,对高频
2014-05-13 15:25:37
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ARM经典300问
2014-04-28
空空如也
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