QR模式反激设计

   近几年快充市场的兴起，QR模式+GaNFET的反激变换器普遍应用于此市场。QR模式使开关管接近零电压导通(影响因素:输入电压，开关管耐压，变压器匝比)开损耗比普通反激低.GaNFET的开关时间只有MOSFET的十分之一甚至更低,寄生电容也只有MOSFET的十分之一左右。开关管所产生的开关损耗和容性损耗相对于普通MOSFET来说非常低。这使得QR反激效率进一步提高.本文以65W(20V3.25A)为例介绍QR反激设计。方案采用安森美NCP1380(轻载频率折返提高轻载效率降低高频损耗).变换器最低开关频率75KHz。开关管采用英诺赛科的GaNFET.

原理图如下：

输电压电流

开关管D极电压

95V输入开关管D极电压波形放大

GaNFET驱动(95V输入)

密勒平台

375V输入开关管D极电压

375V输入开关管D极电压波形放大

GaNFET驱动(375V输入)

密勒平台

关断时的波形