半导体分立器件分类有哪些？特性是什么？

半导体分立器件分类及应用领域

一、核心分类

1. ‌基础元件‌

   • ‌二极管‌：包括普通二极管（如硅/锗二极管）、稳压二极管、肖特基二极管、瞬态电压抑制二极管（TVS）等。
   • ‌三极管‌：如NPN/PNP型双极型晶体管（BJT）、达林顿管等。

2. ‌功率器件‌

   • ‌MOSFET‌（金属-氧化物半导体场效应晶体管）：适用于高频开关场景。
   • ‌IGBT‌（绝缘栅双极型晶体管）：结合MOSFET和BJT特性，用于高压大电流场景。
   • ‌晶闸管（可控硅）‌：包括单向/双向可控硅（SCR/Triac），用于交流调压等场景。
   • ‌整流器与整流堆‌：如桥式整流器、高压整流堆。

3. ‌特种器件及传感器‌

   • ‌光电器件‌：如光耦、光敏二极管/三极管。
   • ‌敏感器件‌：涵盖压力、磁敏（霍尔器件）、气敏、湿敏、离子敏感等传感器。
   • ‌雪崩管、阶跃恢复管等特殊功能器件‌。

4. ‌其他功能器件‌

   • ‌继电器‌：用于电路隔离控制。
   • ‌压敏电阻‌：过压保护器件。

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二、主要应用领域

• ‌汽车电子‌：IGBT用于电动汽车逆变器，TVS用于电路保护。
• ‌消费电子‌：二极管、MOSFET应用于电源管理和信号处理。
• ‌工业与能源‌：晶闸管用于电机驱动，高压器件支撑光伏逆变器。
• ‌通信与网络设备‌：高频三极管、场效应管用于信号放大和切换。
• ‌航天与国防‌：特种传感器、高压器件适配极端环境需求。

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三、技术参数与功能特征

• ‌关键参数‌：导通电阻（RDS(on)）、击穿电压（BV）、漏电流（IR）、开关速度等。
• ‌功能特性‌：
  • ‌单向导电性‌（二极管）；
  • ‌电流放大或控制功能‌（三极管、场效应管）；
  • ‌高压/高温稳定性‌（IGBT、高压可控硅）。