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RSS订阅转载 典型的中断服务程序
INT: clr ea ; CPU关中断 push psw ; 现场保护 push acc setb ea ; CPU开中断 中断处理程序段 clr ea ; CPU关中断 pop acc ; 现场恢复 pop psw setb ea
2010-01-23 11:09:00
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印制板设计原则和抗干扰措施摘
印制电路板的抗干扰设计与具体电路有着密切的关系，这里仅就PCB抗干扰设计的 几项常用措施做一些说明。
1.电源线设计 根据印制线路板电流的大小，尽量加租电源线宽度，减少环路电阻。 同时、使电源线、地线的走向和数据传递的方向一致，这样有助于增强抗噪声能力。
2．地线设计……
2012-03-07
射频识别系统模型
射频识别系统工作过程中，空间传输通道中发生的过程可归结为三种事件模型，本文以此三种事件模型的描述来介绍射频识别系统的典型工作方式与工作流程。
射频标签（射频标签）与阅读器（读写器）之间通过两者的天线架起空间电磁波传输的通道。
细分射频标签与阅读器之间的电磁耦合，包含两种情况：即近距离的电感耦合与远距离的电磁耦合。在电感耦合方式中，阅读器一方的天线相当于变压器的初级线圈，射频标签一方的天线相当于变压器的次级，因而也称电感耦合方式为变压器方式。
2012-03-07
三极管-饱和总结
三极管在饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制，另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic（max）/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。
2012-03-07
MOS、三极管管用作开关时的区别联系
MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止，放大和饱和区相对于 MOSFET 为截止，饱和，变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当 Vgs Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时，为饱和区。当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区
2012-03-07
dB dbm的概念 ，换算
dB 就是分贝，是一个比值表述形式，与此类似的还有ppm（百万分之一），都不是单位，但工程上有以此标定物理测定量大小的习惯。
dB 有两个定义方式——1.描述能量，即 dB = 10lg（P/Po）表明功率P相对于基本功率Po的分贝数；2.描述幅度，即 dB = 20lg(A/Ao)，表明幅度A相对于基本幅度Ao的分贝数。
2010-05-06
空空如也
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