一、电容式麦克风基本原理
电容式麦克风的核心组成部件是振膜和背板,振膜和背板构成了平行板电容器。其中,振膜为柔性,背板为刚性,且带有穿孔设计。
带有穿孔设计的原因是,背板和振膜振动时会产生阻尼。就像捏气球时会感到一种挤压的反作用力。增加穿孔可以减小阻尼,但是这样会减小背板的强度。所有通过增强背板厚度来提升其强度。
图一
根据上面的公式,距离d变大,电容C就会变小;反之亦然。
在Q是相对静止的情况下,C的变化,将导致Vc发生变化。C增加Vc减小,反之亦然。
为何Q是相对静止的,根据充电时间τ=RC,在C很小的情况下,R取值很大,MΩ,GΩ的情况下。这样充电时间就会很长。达到了几秒的时间。而人耳的可听声为20Hz到20KHz,这样换算成变化的时间约为:0.05~0.00005S,所以这这样的时间内变化,电荷量总量Q就相当于静止。
在Vc端外接一个滤波器就可以把声波信号转化为电信号信息传输。
二、电容式麦克风实物分析
下图二为电容式麦克风实物图:
图二、电容式麦克风实物图
图三、电容式麦克风组成
其中1是金属外壳,也是麦克风的地。伸出的两个管脚分别是电源正极和负极,负极便和地导通;
其中2是背板+塑料外壳+N沟道FET晶体管;FET的G极和背板相连接,其他两个极伸出到外部;S极作为地,D极作为电源正极;
其中3位振膜,4为隔离振膜和金属背板之间的绝缘橡胶圈。
其基本原理为:
由上面的部分分别构成了电容式麦克风的振膜和背板,其中由N沟道FET构成的共源放大电路来作为电源部分和信号输出部分。
图四、共源放大电路
经过实际测量在D极和G极之间存在着一定的阻抗,阻抗值很大,这样电源从VDD经过D极和G极给电容充电。当充满之后,电容的电荷相对不变。
按照上面的同时,声波造成了d距离的变化,改变了C,在Q相对静止的情况下,Vc变化,Vc的值边便是共源电路中Vin的值。
图五、N沟道FET特性曲线(实际电容中的K965)
图六、电路仿真图
如上图电路仿真图所示:
当Vin从0V增大是,电流ID会增大,VDS会减小;
当Vin减小是,电流ID会减小,VDS会增大。(实际情况下,输入电压的变动会小很多,但是输出端也会产生变化);
整体按照图六所示的规律进行变化。
三、实际电路波形
图七、放大电路接线图
实物如下图所示:
图八、实物接线图
通过示波器测量的波形为:
图九、无响声时输出波形
此时输出的波形约为,周期为50Hz,峰值为96mV的三角波。
图十、鼓掌时输出波形
波形的频率在鼓掌时刻发生了改变约为120Hz,其输出的峰值最高达到了344mV,由此可见,周围声波能量的变化,会导致电容式麦克风输出电压的变化,从而导致整个电路的输出电压也发生了相应的变化。
以上仅作为定性分析,不做定量分析,仅方便理解。