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原创 深度解析Wolfspeed CGHV1J070D GaN HEMT特性与应用替代方案

摘要： 本文深度解析Wolfspeed CGHV1J070D GaN HEMT器件技术特性，包括其SiC衬底、0.25μm T型栅极工艺及高频大功率性能（18GHz下70W输出）。针对国产替代需求，提出已验证方案：工艺/封装完全兼容，40V DC直接替换，S11偏差＜0.1，功率波动＜0.5dB。对比显示国产件成本降低55%，交期缩短至2周，适用于雷达TR组件、卫星通信等场景，实现供应链自主可控。