答疑解惑：为什么要把SWAP设置到手机内置闪存中？

答疑解惑：为什么要把SWAP设置到手机内置闪存中？

（blog.csdn.net/zyphio原创首发，转摘请注明作者出处）

今天看到某网友说：“SWAP虚拟内存开在手机会损坏手机RAM，建议还是将SD卡分区，将SWAP开在SWAP分区上”。


我实在忍不住了，先不说RAM在这网友想来是什么，至少不能让“伪专业”来误导广大机友吧！我决定出来“见义勇为”了。


先摆出我的观点——SWAP尽可能设置在手机中。


理由下面再说，先普及一些基本概念和常识纠错。



概念一
RAM：随机存储器，速度极快，所存数据断电即丢失，擦写几乎不影响寿命。主要分类是DRAM和SRAM。

DRAM（动态RAM）——PC中的内存颗粒、显卡的显存颗粒、或是硬盘的缓存芯片。
SRAM（静态RAM）——CPU一类处理器集成的一级缓存，二级缓存，三级缓存等，速度比DRAM还要快，但容量很小！

概念二
ROM：只读存储器，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。现在几乎看不到了，其结构只存在某些芯片内部存储品牌型号极少部分结构。

　　如果你玩红白机时代过来的，你拆红白机的开卡带会看到PCB上的“牛皮膏”，那就是ROM，或是有个小透镜的芯片，那叫EPROM（可擦写编程只读内存，紫外线照射那个透镜小孔会清空RAM中的数据），后来就是Pentium时代前后的PC的BIOS芯片大都是可抹除可编程只读内存EEPROM（CMOS在南桥里以只有几百字节的RAM形态存在，所以BIOS芯片不能叫CMOS芯片）。


概念三
Flash Memory：闪存，断电数据还能保存。严格来说，闪存是ROM的一种进化形态，但不属于ROM，功能上类似电子可擦除只读存储器（EEPROM），但特性介于RAM和ROM之间。常见于固态硬盘、SD、TF一类的闪存卡、U盘、现在主板显卡BIOS芯片和手机中的内置存储器。Flash Memory结构上有NOR和NAND两大类。

NOR——容量小价格贵，读写方式和功能特性近似RAM。所以NOR闪存适合频繁随机读写的场合，用于读写密集频繁的地方，寿命超长，耐擦写，速度快，效率高。常用于移动设备内部存放运行中的操作系统，或是在PC机中作为“内存”和“硬盘”间的“缓冲”和“加速”部件，替代RAM的部分功能。

NAND——容量大价格便宜，结构功能特性近似ROM。所以NAND型闪存适合存储读写不频繁的场合，我们常用的闪存产品，如闪存盘（U盘）、闪存卡（TF卡、SD卡等）都是用NAND型闪存。而NAND闪存还分MLC和SLC。SLC擦写寿命远远长于MLC，但同体积下SLC容量小于MLC，所以SLC生产成本和市面价格远高于MLC。早期SD卡有些是SLC结构的，目前价格很贵的固态硬盘的介质是SLC闪存，廉价的固态硬盘无一例外采用MLC闪存作介质！特别是现在SD卡和TF卡都是向着超大容量方向发展，都是MLC类型的NAND。


纠错一
在现代计算机的奠基者——冯·诺依曼提出的“程序内存”思想（现在电脑手机都是基于此设计的）中，“内存”是相对于“外存”存在的，“内存”和“外存”可相互模拟，虚拟内存、SWAP、分页文件、Readyboost技术就是以外存模拟内存！而我们把32位系统无法访问的超过4GB部分的内存模拟成一个硬盘来保存临时文件，这就是内存模拟外存。同样，手机中的内存是指RAM，而常说“内部存储”其实是“外存”。


纠错二
SD卡和TF卡这种严格上不叫“内存卡”（RAM CARD），而是应称作“闪存卡”（Flash Mormery Card），因为汉字“内”和“闪”字形上的接近，加上国人浮躁地误看误用，已经约定俗成把“闪存卡”读写作“内存卡”，就连某些计算机杂志和计算机专业大学老师学生都会搞混。严格来说，“内存卡”实际上应是指PC机中的“内存条”，我们只要搜索一下英文“RAM CARD”，你会发现是指插在主板上的“内存条”。


纠错三
现在手机、电脑中几乎没有硬件形态上独立存在ROM，只有RAM和FLASH MEMORY，其中有一部分FLASH MEMORY逻辑上不许常规读写的，近似ROM功能！！



好，言归正传，我说“SWAP尽可能设置在手机中”的原因——


以ZTE-V880这款手机为例，国行版的拆机可知，其采用三星MCP（multi-chippackage，多芯片封装）K524G2GACB，集成256MB RAM和512MB Flash Memery（没有ROM哦）。


为什么是MCP？因为要节省成本，减小体积啊！现在主流手机大都是这样的。


从容量我们可看出，256 RAM就是“物理内存”，就是在系统中我们可以看到166MB“运行内存”。而512MB Flash Memery就是“内置存储”空间，系统里非全部可见。

好，关键是这一体芯片中512MB Flash Memery是什么结构的呢？根据手机“内部存储”要频繁读写这一要求，相信聪明的你已经猜出个一二了，而查询三星关于K524G2GACB芯片的资料可知，（这里更正一下，资料查询有误，我手头拿到资料K5N5629ABA，这个才是NOR FLASH MOMERY），K524G2GACB的构成是NAND(4Gb)+MDDR(2Gb)！也就是不含NOR！但没显示NAND的类型是MLC还是SLC，从价格高、容量小、体积大的角度判断，极有可能是SLC，也至少比MLC的TF卡在寿命、速度方面来得有优势，也就更适合SWAP。而我之前基于NOR的观点也不成立，特此删之！非常抱歉！

另外，SWAP技术严格不算是在直接增加运行内存，加上LINUX内核在管理运行内存、管理SWAP的优化，SWAP的容量也不宜太大，64MB－128MB就可以了，除非极端应用或特殊情况，至少在运行Android现时版本，且内部存储空间较少的手机上是如此。以我的ZTE－V880手机为例，刷了精简过的CM7（Android 2.3操作系统），/system分区有80MB左右的剩余空间，其下面再生成64MB大小的swap.img并启用，在提升NFS13和PES2011游戏的流畅性方面效果显著。

PS：

引自： http://blog.csdn.net/gao5528/article/details/6256119

“对于MCP芯片市场，上次已经介绍了主要是应用在一些手持类和通讯类电子产品，随着DRAM和NAND FLASH的工艺的升级，随之而来的就是成本的降低，越来越多设计人员会考虑ND MCP,毕竟DRAM+NAND架构的MCP性能要优于NOR +PSRAM架构的相关产品，对于目前手机行业的迅猛发展，手机就像一步电脑，对于其操作系统的速度和兼容性都提出了很高的要求，所以目前ND产品已经在大大小小的手机厂商中广泛应用，对于NOR构架的MCP来说，256M以上的NOR FLASH生产成本会非常昂贵，基本可以说以256+64的NOR产品为一个分界点，如果再大容量的产品，设计师和采购都会选用ND产品，……”