STM32F10x Flash 模拟 EEPROM

STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

　　不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

#include  "eeprom.h"

 

#define  TITLE_SIZE    80

#define  TITLE_KEY     1

#define  POINT_KEY     2

 

typedef  struct  {

        float  x ;

        float  y ;

        float  z ;

}  Point ;

 

char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;

Point  point ;

　　执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

uint16_t  result  =  0 ;

 

FLASH_Unlock ( ) ;

 

EE_Init ( ) ;

 

result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;

result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;

 

result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;

result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

#define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

转自http://blog.sina.com.cn/s/blog_a486791c0101fik8.html