小松的STM32教程（14）——内部flash模拟eeprom

为什么要用Flash来模拟EEPORM

Flash更适合作为程序存储器，EEPROM更适合作为数据存储器，存储大量数据的时候就需要使用EEPROM，廉价的MCU往往只有FLASH而没有EEPROM，所以这个时候就需要外加EEPROM或者选择一些别的办法，使用Flash模拟EEPROM就是一个很好的选择，说白了就是使用stm32内部flash里面一部分空间用来保存数据，不只是保存程序代码。

FLAHS和EEPROM有什么区别

Flash是按照扇区操作，EEPROM是按字节操作

核心代码讲解

	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;				//扇区地址，将偏移地址除以每个扇区的大小
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移（2字节）
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   

$$STM32\_FLASH\_BASE=0X8000000$$
假设写入地址为
$$WriteAddr=0X8030000$$
那么偏移地址就是
$$secpos=0X8030000-0X8000000=0X0030000$$

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
   
	u32 secpos;	   //扇区地址
	u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址&#