嵌入式arm学习总结（八）--存储知识-nandflash-norflash-基于MINI2440平台



MINI2440   ram：4k ， rom：没有
程序运行：sdram  ，norflash
程序存放：nandflash，norflash
nandflash和norflash最大区别：norflash可以片上运行程序（并行总线，引脚多），nandflash不能（串行总线，引脚少）
通常linux操作系统存放在nandflash里面

nandflash启动模式：开发板上电时，nandflash控制器把前4K代码复制到2440的内部4ksram中，然后通过硬件机制把2440内部4ksram地址映射到为0的地址开始，程序开始执行这4k代码
这4k代码包含功能：初始化sdram，复制nandflash中的代码到sdram中，然后跳转到sdram中运行

noflash启动模式：norflash也有同样的最前面的4k代码，只不过不需要复制到2440内部4ksram这个过程，因为norflash可以片上执行程序

上面所说的4K代码也就是包含了启动代码 
（其实启动代码可以小于4K或大于4K，但当大于4K时拷贝的4k代码里必须包含功能：初始化sdram，复制nandflash中的代码到sdram中，然后跳转到sdram中运行小于4k时复制的4k程序执行完启动代码后会跳转，剩下的空间不执行）

NANDFLASH的相关操作原理：
NANDFLASH的擦除操作
NANDFLASH坏区检测
ID号检测
坏区标识
任意地址区间的读写　：以前没有任意读写功能，现在升级了，但实际应用中读没问题，写可能会出错
读写校验

NandFlash的ECC校验过程总结：

写页操作： （8位的nandflash）

在写完一页数据后，硬件会自动产生4个字节的主区ECC，硬件自动存放到rNFMECC0里面，再编程保存（写）到Space区，
此时又会产生2个字节的Space区ECC，硬件自动存放在rNFSECC寄存器的低两字节里面 。再编程保存（写）到Space区，

读页操作： （8位的nandflash）
在读完一页数据后，也会产生四个字节的主区ECC，硬件自动存放到rNFMECC0里面， （等待与之前写数据的时候产生的主区ECC进行比较） 再读取之前保存在Space区的4个字节的主区ECC  （mecc0=NF_RDDATA();这时读完操作后又会产生两个字节的Space区的ECC，硬件自动存放在rNFSECC的低两字节里面），放到寄存器rNFMECCD0和rNFMECCD1的bit0--7和bit16--23，放入后硬件会自动和读页操作时产生的主区ECC（放在NFMECC0寄存器里面）进行比较。再读取保存在Space区的两字节的Space区ECC（secc=NF_RDDATA();低2个字节为spare区的ECC值），放到寄存器rNFSECCD的bit0--7和bit16--23，放入后硬件又会自动和读操作时产生的Space区ECC（放在NFSECC寄存器里面的低两字节）进行比较，最后主区ECC、Space区ECC的比较结果可以通过NFESTAT0寄存器   的低四位来进行查询，判断读、写时分别产生的ECC是否相同，如果相同则说明读取数据成功，否则读取失败。 

16位的nandflash操作过程与8位相似，只不过16位的nandflash主区ECC为8个字节，存放在rNFMECC0和rNFMECC1两个寄存器里面 Space区ECC有4个字节，也是存在rNFSECC寄存器里面（8位nandflash只用到了低两字节）

具体详情可以参考S3C2440的nandflash控制器部分内容