【ARM裸板】Nand Flash编程

1.读芯片ID

1.1 读芯片ID时序

简化为4个步骤：

• 1.使能片选
• 2.写命令0x90
• 3.写地址0x00
• 4.读ID信息

/* 识别NAND FLASH */
void scan_nand_flash(void)
{
   
   int i;
   //保存读取ID信息的数组
   unsigned char id_info[5] = {
   0};

   nand_enable_cs();//使能CS
   nand_write_cmd(0x90);
   nand_write_addr(0x00);

   for(i = 0;i < 5;i++){
   
   	id_info[i] = nand_read_data();
   }
   nand_disable_cs();//禁止CS
   
   printf("Maker  Code: 0x%x\r\n",id_info[0]);
   printf("Device Code: 0x%x\r\n",id_info[1]);
   printf("3rd   cycle: 0x%x\n\r",id_info[2]);
   printf("Page   size: %d KB\n\r",1  << (id_info[3] & 0x03));//页大小与id_info[3]最低2位有关
   printf("Block  size: %d KB\n\r",64 << ((id_info[3] >> 4) & 0x03));//块大小与id_info[3]第4、5位有关

   printf("5th   cycle: 0x%x\n\r",id_info[4]);

1.2 由ID数据获得芯片参数

• ID信息的第4字节为0x95
• 页大小与id_info[3]最低2位有关，可得页大小为：2KB
• 块大小与id_info[3]第4、5位有关，可得块大小为：128KB

注意：如果此时烧写到Nand Flash，并从Nand Flash启动程序是不会成功的，因为这个bin文件大小已经超过了4K，且现在还没有实现nand flash的读函数。

2.读数据

目标：实现从NAND FLASH中启动，重定位所有数据至SDRAM，并实现读取芯片ID数据

2.1 NAND内部结构分析

• OOB：out of bank（在bank之外）
  由上图可得：
• 1Page = 2KB + 64B
• 1Block = 64 * Pages = 128KB + 4KB
• 1Device = 2048 * Blocks = 256MB + 8MB

• OOB区的作用：因为nand的缺点是会发生“位反转”，为了解决这个问题，nand中的OOB区，用于校验数据区的数据是否发生错误，当有错误时，可以恢复数据。（其本身不存储数据）
• 因为OOB中并不存放数据，只是用于校验数据区是否发生错误，因此当CPU读取Nand Flash第2048个数据，该数据为 Page1中的第0个byte

2.2 地址序列与时序

• 由地址序列可以看出：发出地址信号共需5个周期，前2个周期发出列地址（Column Address），后3个周期发出行地址（Row Address）
• 地址线序列有一些位是没有用到的，其目的也是以后兼容更大芯片的nand falsh
  

Nand Flash内部结构展开大致如下：

2.3 读数据流程

• 1.发出片选信号
• 2.发出0x00命令
• 3.发送5个周期的地址（两个列地址，三个行地址（page））
• 4.再发送0x30命令
• 5.等待就绪
• 6.读数据
• 7.禁止片选

2.4 转换所读地址的列与页

将输入的地址addr转换为：

• 列地址（Col Address）
  • page是定位到哪一个页，col变量定位的就是在这个页的偏移量（在这个页上的第几列0~2047）
• 行地址（页）
  • 因为读取数据的时候是一次性读出一页，因此当给出地址addr之后，每一页的数据大小是2K，因此我们可以根据地址知道我们读取的数据是哪一个页

	int col  = addr % 2048;//列地址  addr &(2048-1); 

	int page = addr / 2048;//行地址（相当于页地址）

2.5 NAND等待就绪

• 当NFSATA[0] = 0时，表示正忙
• 当NFSATA[0] = 1时，表示就绪

/* 等待NAND就绪 */
void nand_wait_ready(void)
{
   
	while(!(NFSTAT & 0x01));//当NFSATA[0] = 1时，表示就绪
}

2.6 读取数据函数

/* NAND FLASH读取数据
 * param:读取的地址、存放的地址、读取的长度
 */
void read_nand_data(unsigned int addr,unsigned char *buf,unsigned int len)
{
   
	int i = 0;

	/*page是定位到哪一个页，col变量定位的就是在这个
	 *页的偏移量（在这个页上的第几列0~2047）
	 */
	int col  = addr % 2048;//列地址  addr &(2048-1); 

    /* 因为读取数据的时候是一次性读出一页，因此当给出
	 * 地址addr之后，每一页的数据大小是2K，因此我们可以
	 * 根据地址知道我们读取的数据是哪一个页
	 */
	int page = addr / 2048;//行地址（相当于页地址）