[A-V] PN结

窃以为，理解PN结可能是能更易理解MOSFET，BJT等基本元件的基础。

1 PN结根基

这部分内容读《电子技术基础–模拟部分》--康华光 PN结章节 是个选择。

(1) 半导体

在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体（硅、锗等）；化合物半导体（砷化镓等）。其导电能力在导体和绝缘体之间。

硅、锗材料在电子器件中应用得最多。

(2) 半导体晶体

半导体的原子形成有序的排列，邻近原子之间由共价键连接，这样就形成半导体的晶体结构。

(3) 本征半导体

本征半导体是纯净的、结构完整的半导体晶体。

(4) 本征半导体内本征激发的自由电子和空穴

在一定温度下（如室温300K），本征半导体内被束缚的部分价电子就会获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子。当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位叫做空穴。在本征半导体内，自由电子和空穴成对存在（且二者的浓度较小，浓度小的程度可以这样被描述：在室温下差不多3.45 x 10¹²个原子中差不多只有一个价电子打破共价键的束缚而成为自由电子，其导电能力没有导体强），所以在任何时候本征半导体依旧是中性的。由温度激发出自由电子和空穴的现象状态被称为本征激发。

(5) P型和N型半导体

向本征半导体如硅的晶体（硅本征半导体）内掺入少量三价元素（如硼）杂质，就使硅本征半导体成为P（Positive）型半导体。P型半导体根基：（有效到段尾，后同）硼原子只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下获得能量时，就有可能来填补这个空位，使硼原子成为负离子，而邻近的硅原子因缺少了一个电子而形成空穴。一定温度下，P型半导体内同时存在着自由电子和空穴，由于部分自由电子会有一部分填补到硼原子外围，这就使得P型半导体的空穴浓度大于自由电子浓度。

向硅的晶体内掺入少量五价元素（如磷、砷和锑），就使硅本征半导体成为N（Negative）型半导体。N型半导体根基：加入的五价原子有五个电子，它与周围的硅原子结合形成共价键时，多余的一个电子易受热激发而挣脱旁边共价键的束缚而成为自由电子。一定温度下，本征半导体内本就同时存在等量的空穴和电子，由五价原子施出自由电子后就使得N型半导体自由电子的浓度大于其空穴的浓度。

通常由本征激发的电子和空穴浓度要比掺入杂质所产生的电子或空穴低得多。

2 PN结的形成

在同一本征半导体的两个不同区域（紧挨着）分别掺入三价和五价杂质元素，此半导体就包含了P型区和N型区。拿P、N两区比较，N型区的自由电子浓度高，P型区的空穴浓度高，这种浓度差会导致扩散（空穴的扩散说法参考书本）。扩散最先影响P、N型区域的交界处，使得P、N型区的交界处的电中性被破坏形成电场，两者交界处P型区带负电、N型区带正电（N型区中，含有五价原子的共价键旁的电子移走后其空穴无电子配对，就使这个共价键体现出正电性，P型区的空穴被来自N型区的自由电子填补后，含三价元素的共价键多了一个电子就使整个共价键表现出负电性）。P、N区交界处的电场会阻止N区自由电子向P区域扩散，吸引P区的电子向N区移动。最终，扩散作用和电场的作用会形成动态平衡。动态平衡的建立标志着PN结的形成。

Figure1. PN结（空间电荷区）

PN结 被称为耗尽层，这个概念在MOSFET中会用。PN结形成后，整个半导体的名称用PN结代替。P型区内同时存在着自由电子和空穴（空穴数量多于自由电子数量），N型区内同时存在着自由电子和空穴（自由电子数量多于空穴数量）。

3 PN结的导通

导体导电是因为其内的自由电子因电势差定向流动而导致。

(1) V_P >V_N

给PN结加电压V_F，将电源正极接P型区，负极接N型区时，P型区内的自由电子会向电源正极方向移动，慢慢的，使得P型区内远离电源正极的共价键上的电子成为自由电子往电源正极移动而留下空穴，这些空穴和含三价共价键的负离子上多余的电子配对，这样会使负离子宽度减小；同时，N型区自由电子往远离电源负极的方向移动，使N型区正离子的宽度减小；如果V_F足够大，那么PN结会在V_F的这种作用下完全消失。PN结消失后，对于整个曾经有PN结半导体来说，内部拥有数量较多的空穴（主要在P型区）和自由电子（主要在N型区），在V_F作用下，自由电子会往电源正极方向移动，自由电子的定向移动形成与自由电子运动方向相反的电流。

Table 1. 猜链

电流的大小跟移动的自由电子数量有关，对于一个本征半导体来说，在外加电场下同样导电。由于本征半导体能被电场激发的自由电子数量不多，所以电流小，使得其在相同电场下没有导体那么凶的导电能力。 对于P型半导体和N型半导体，由于往其中加入的杂质分别使得其内部的空穴和自由电子的浓度增加（前面提到这种浓度要比本征半导体自然状态下的浓度高得多），在有外加电场的情况下，其导电能力要比本征半导体强。 那么为什么要用PN结，因为可以将BJT和MOSFET这两种元件看成由PN结构成的，对其导电过程的分析会落到对PN结特性的分析上。为什么要分析BJT和MOSFET，因为在实际电路中往往需要BJT和MOSFET这样功能的元件。 如果BJT和MOSFET不是天然物体，那么这个过程可能是“电路中需要某种功能的元件” -->“制作具有这种功能的元件”-->制作成功，将这些元件命为BJT或MOSFET之类的名字，由于BJT或MOSFET通用性，名声大噪-->新人电路中需要MOSFET或BJT这样功能的元件 -->直接用BJT或MOSFET -->怎么用？-->学习BJT或MOSFET-->制作BJT或MOSFET的人觉得要想彻底理解我的BJT或MOSFET你得清楚其内部构成的原理:PN结—BJT或MOSFET-->BJT和MOSFET普及，抄描写BJT和MOSFET的第一或第二本原著书……-->如今的各种模电书

(2) V_P < V_N

将电源正极接N型区，负极接P型区时，P型区中的自由电子受电源负极排斥移动到远离电源负极的区域，使得P型区的负离子区域宽度变宽；与此同时，N型区中自由电子受电源正极的吸引而向电源正极方向移动（整个回路的电流很小），使得N型区内远离电源正极区域的空穴增多，从而使得N型区正离子宽度变宽。内部电场一方面使得PN结形成的内部电场越来越宽，在P型区内的负离子阻碍N型区内数量较多的自由电子的移动。另一方面，整个回路就是一个内部电场和外加电源V_F串联的电路。只要V_F不超过PN结能形成的最大的内部电场，那么PN结总能形成一个内部电场来和V_F相抵消，当内建电场与外加电场建立KVL平衡后，整个回路没有电流通过或是动态平衡下极小的电流。当V_F值过大（超过PN结内部电场或者更大）时，整个回路就有电压存在，此时含PN结的半导体就是一个半导体，由于在抵消V_F时PN结内积累了大量的电子，这些电子会在这个电压下一下子定向跑起来，由于电流很大，很容易使PN发热至坏，这个电压值被称为PN结的反向击穿电压。

[214.11.4 - 11:09]

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