PN结的形成及特性

1. PN结的形成

(1) 扩散

定义： 载流子从高浓度区域向低浓度区域转移的运动。
扩散运动是一种客观现象，一定会发生。

(2) 漂移

定义： 由于电场作用而导致载流子的运动。

(3) 形成过程

P型半导体和N型半导体在一起，P型空穴浓度高，向N区扩散，N型电子浓度高，向P区扩散。由于最初两者都是不带电的，所以在交界面附近，P区带负电，N区带正电。这样形成的电场阻碍了多子的扩散。这个区域被称为耗尽区。这个形成的电场被叫做内电场。
但是这样就加强了少子的飘移。P区的电子在内电场的作用下飘向N区，电场强度减小，随之对扩散的阻止减弱，电子继续扩散，又进行阻止。
两者动态平衡。

2. PN结的特性

(1) 单向导电性

外加正向电压 / 正向偏置电压：P区接高电位，N区接低电位。
外加反向电压 / 反向偏置电压：N区接高电位，P区接低电位。

① 外加正向电压

② 外加反向电压

(2) 反向击穿

① 雪崩击穿

在外电场的作用下，飘移的少子获得很大的动能，与其他原子进行碰撞，从而打破共价键，产生更多的电子-空穴对，导电能力增强，电流增大。

② 齐纳击穿

在外电场的作用下，原子核周围的电子脱离束缚，变成自由电子，即产生电子-空穴对，导电能力增强，电流增大。

这两种击穿正常情况下可恢复，PN无损坏。当电流太大，使PN结功率高于容许的耗散功率，PN结就被热击穿，变成物理上的损坏，无法再回复。

(3) 电容效应

① 扩散电容

② 势垒电容