PN结的形成及特性

1. PN结的形成

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(1) 扩散

定义: 载流子从高浓度区域向低浓度区域转移的运动。
扩散运动是一种客观现象,一定会发生。

(2) 漂移

定义: 由于电场作用而导致载流子的运动。

(3) 形成过程

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P型半导体和N型半导体在一起,P型空穴浓度高,向N区扩散,N型电子浓度高,向P区扩散。由于最初两者都是不带电的,所以在交界面附近,P区带负电,N区带正电。这样形成的电场阻碍了多子的扩散。这个区域被称为耗尽区。这个形成的电场被叫做内电场。
但是这样就加强了少子的飘移。P区的电子在内电场的作用下飘向N区,电场强度减小,随之对扩散的阻止减弱,电子继续扩散,又进行阻止。
两者动态平衡。

2. PN结的特性

(1) 单向导电性

外加正向电压 / 正向偏置电压:P区接高电位,N区接低电位。
外加反向电压 / 反向偏置电压:N区接高电位,P区接低电位。

① 外加正向电压

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② 外加反向电压

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(2) 反向击穿

① 雪崩击穿

在外电场的作用下,飘移的少子获得很大的动能,与其他原子进行碰撞,从而打破共价键,产生更多的电子-空穴对,导电能力增强,电流增大。

② 齐纳击穿

在外电场的作用下,原子核周围的电子脱离束缚,变成自由电子,即产生电子-空穴对,导电能力增强,电流增大。

这两种击穿正常情况下可恢复,PN无损坏。当电流太大,使PN结功率高于容许的耗散功率,PN结就被热击穿,变成物理上的损坏,无法再回复。

(3) 电容效应

① 扩散电容

② 势垒电容

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