模电之半导体基础篇2（PN结）

一、PN结的形成

1、过程
使用工艺，将P区域N区分散在左右两边，在浓度差作用下：电子从N取向P区扩散，空穴从P区向N区扩散

2、PN结
经过这样的多子（N区电子与P区空穴）互相扩散的过程之后，会在P区和N区的交界面上，留下一层不能移动的正离子（N区）、负离子（P区）。该层称作空间电荷层、阻挡层、耗尽层，即所谓的PN结。

二、PN结的动态平衡

1、扩散： 多子才会扩散，电子从N取向P区扩散，空穴从P区向N区扩散

2、漂移： 少子才会漂移，空穴从N区向P区漂移，电子从P区向N区漂移

3、动态平衡

• 在PN结内会形成由N区指向P区的内电场，该电场会减弱多子的扩散，增强少子的漂移，最终PN结大小不变，达到动态平衡。
• 具体就是N区漂移的空穴与P区扩散的空穴对等，P区漂移的电子与N区扩散的电子对等。
• 平衡状态：流过PN结的净电流为零；PN结的厚度一定（几微米）；接触电位一定（零点几伏）

三、PN结的正反偏置