格州每天工作记录
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小王的修行路
这个作者很懒,什么都没留下…
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2015.7.14收获
三轴加速度传感器:三轴加速度传感器的好处就是在预先不知道物体运动方向的场合下,只有应用三维加速度传感器来检测加速度信号。三维加速度传感器具有体积小和重量轻特点,可以测量空间加速度,能够全面准确反映物体的运动性质。 传统的脉搏测量方法主要有三种:一是从心电信号中提取;二是从测量血压时压力传感器测到的波动来计算脉率;三是光电容积法。其中目前市面上的心率 带或者一些专业的心电采集设备应该用原创 2015-07-14 10:24:05 · 1497 阅读 · 0 评论 -
话说MOSFET的应用
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 1、MOS管种类和结构原创 2015-09-09 14:19:08 · 1959 阅读 · 0 评论 -
关于51单片机IO引脚的驱动能力与上拉电阻
单片机的引脚,可以用程序来控制,输出高、低电平,这些可算是单片机的输出电压。但是,程序控制不了单片机的输出电流。 单片机的输出电流,很大程度上是取决于引脚上的外接器件。单片机输出低电平时,将允许外部器件,向单片机引脚内灌入电流,这个电流,称为“灌电流”,外部电路称为“灌电流负载”;单片机输出高电平时,则允许外部器件,从单片机的引脚,拉出电流,这个电流,称为“拉电流”,外部电路称为“原创 2015-08-07 08:57:51 · 680 阅读 · 0 评论 -
相关PCB设计参数详解
一,相关PCB设计参数详解:一.线路1. 最小线宽: 6mil (0.153mm)。也就是说如果小于6mil线宽将不能生产,如果设计条件许可,设计越大越好,线宽起大,工厂越好生产,良率越高一般设计常规在10mil左右此点非常重要,设计一定要考虑2. 最小线距: 6mil(0.153mm).。最小线距,就是线到线,线到焊盘的距离不小于6mil 从生产角度出发,是越大越好,原创 2015-08-20 11:32:11 · 1011 阅读 · 0 评论 -
buck boost
Buck变换器:也称降压式变换器,是一种输出电压小于输入电压的单管不隔离直流变换器。 图中,Q为开关管,其驱动电压一般为PWM(Pulse width modulation脉宽调制)信号,信号周期为Ts,则信号频率为f=1/Ts,导通时间为Ton,关断时间为Toff,则周期Ts=Ton+Toff,占空比Dy= Ton/Ts。 Boost变换器:也称升压式变换器,是一种输出电压高原创 2015-09-06 16:13:30 · 1649 阅读 · 0 评论 -
肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流原创 2015-08-21 16:17:48 · 987 阅读 · 0 评论 -
齐纳二极管
齐纳二极管如果反向电压,增加到某个特殊值,对于一个微小偏压的变化,就会使电流产生一个可观的增加.引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压.在击穿状态下,不至于引起二极管永久性破坏的电流,称为齐纳电流.这些参数,可以在选用元件时,用于确定配套元件的规格.例如,根据齐纳二极管的齐纳电流,可以确定其工作点,以及限流电阻的阻值和功率.等等.补充:齐纳电流是处于齐纳状态的反向电流.1原创 2015-08-21 15:20:32 · 1292 阅读 · 0 评论 -
AC/DC电源的设计原理
1、输入整流滤波单元本设计电源的输入电压是50Hz交流电压85~265Vac,需要整流成直流再参与变换。最简单的方法是整流桥整流,50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压,再通过输入滤波电容得到直流高压。1)整流桥的选择整流桥的主要参数有反向峰值电压VRR(V),正向压降VF(V),平均整流电流IF(A),正向峰值浪涌电流IFSM(A),最大反向漏电流IRM(μA)。整流桥的原创 2015-09-08 11:07:47 · 7594 阅读 · 1 评论 -
常规MOS管与超结MOS管的区别及超结MOS管应用领域介绍
刚刚有看到一篇文章写的是COOLMOS管与常规MOS管的区别,这是一篇名为《初学者必备知识——功率场效应晶体管MOS管》里面有介绍很多MOS管知识,在这我就不说别的,我们来说说COOLMOS管,因为本公司-深圳市凯泰电子有限公司也有这样的MOS管,但是不叫COOLMOS管,我们的叫超结MOS管(Super Junction MOSFET Series)。下面我先介绍下COOLMOS管与常规MO原创 2015-09-17 12:38:07 · 14174 阅读 · 2 评论 -
MOSFET与IGBT的应用区别
MOSFET与IGBTPOWERMOSFET优点是高频特性十分优秀(MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品),驱动简单(电压型驱动),抗击穿性妤(没有雪崩效应)POWERMOSFET的弱点是高耐压化后之功率损失激增。缺点是耐高压的器件,导通电阻大.在高压大电流场合功耗较大,因此大功率(1500W以上)有些困难。对于MOSFET来说,仅由多子承担的电荷原创 2015-09-17 14:03:29 · 3332 阅读 · 1 评论 -
功率MOSFET选型建议
功率MOSFET选型建议表面上来看,MOSFET虽然是一个比较简单的功率器件,但其参数众多,并且各参数相互关联,因此在选择时需综合各方面的限制及要求进行优化选择。下面针对部分参数从应用的安全可靠性方面简单阐述选型的基本原则。一:BVDSS最大电压应力 在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压BVDSS的选择。 BVDSS为正温度系数,其DATASHEET给出的值原创 2015-10-22 11:19:11 · 6159 阅读 · 0 评论 -
电流环详解
工业现场有许多过程控制系统,从简单的流量控制到复杂的电网,从环境控制系统到炼钢厂过程控制,这些控制系统由很多模块组成如中央处理单元,输入模块,模拟量输出,数字量输出,电源等等。不同模块之间需要进行数据通信,在众多现代通信方式中,还有一类相对古老的通信方式显得比较特殊,这就是4~20mA电流环。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/184925.htm原创 2015-10-21 15:58:38 · 17889 阅读 · 0 评论 -
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动;其次MOSFET的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电 荷存储效应;另外MOSFET没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还原创 2015-09-21 10:01:53 · 947 阅读 · 0 评论 -
开关电源拓扑结构详解
开关电源拓扑结构详解 主回路—开关电源中,功率电流流经的通路。主回路一般包含了开关电源中的开关器件、储能器件、脉冲变压器、滤波器、输出整流器、等所有功率器件,以及供电输入端和负载端。 开关电源(直流变换器)的类型很多,在研究开发或者维修电源系统时,全面了解开关电源主回路的各种基本类型,以及工作原理,具有极其重要的意义。 开关电源主回路可以分为隔离式与非隔离式两大类型。 1.原创 2015-10-13 09:38:21 · 32891 阅读 · 6 评论 -
无桥PFC的优势及解决方案
无桥PFC的优势及解决方案时间:2010-11-21 14:30:37 来源: 作者: 无桥PFC的优势及解决方案 传统有源PFC 中,交流输入经过EMI 滤波后会经过二极管桥整流器,但在整流过程中存在功率耗散,其中既包括前端整流桥中两个二极管导通压降带来的损耗,也包括升压转换器中功率开关管或续流二极管的导通损耗。据测算,在低压市电应用(@90 Vrms)中原创 2015-10-12 14:59:22 · 6155 阅读 · 0 评论 -
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动;其次MOSFET的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电 荷存储效应;另外MOSFET没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还原创 2015-09-24 16:27:54 · 3326 阅读 · 0 评论 -
电感滤波电路的工作原理
在大电流的情况下,由于负载电阻RL很小。若采用电容滤波电路,则电容容量势必很大,而且整流二极管的冲击电流也非常大,在此情况下应采用电感滤波。如下图所示,由于电感线圈的电感量要足够大,所以一般需要采用有铁心的线圈。工作原理当流过电感的电流变化时,电感线圈中产生的感生电动势将阻止电流的变化。当通过电感线圈的电流增大时,电感线圈产生的自感电动势与电流方原创 2015-08-06 17:53:04 · 4144 阅读 · 0 评论 -
电源附近的电容的作用分析
通常PCB设计时,需要在电源附近加一些滤波电容,我经常看到会加一系列大小的电容值,比如:2200pF,0.01uF,0.1uF,4.7uF,为什么要加这么多电容?小電容濾高頻﹐大電容濾低頻 同一频率下容量大的电容器容抗小,这样小电容似乎并没有什么作用,但是大电容的高频特性比较差,在高频时,存在着感抗,所以频率高到一定程度时,阻抗反而大于其容抗,所以要并联小电容.具体操作遵循着小电容先(原创 2015-08-06 17:29:08 · 6365 阅读 · 0 评论 -
霍尔传感器
霍尔传感器是利用霍尔效应与集成电路技术结合而制成的一种磁敏传感器,它能感知一切与磁信息有关的物理量。霍尔效应,它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的,因此得名。霍尔效应:在金属或半导体薄片的两端通过控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为应强度为磁场那么,,在垂直于电流和磁场方向向上将产生电动势场UH(霍尔电压)霍尔元件:原创 2015-07-14 14:58:14 · 2408 阅读 · 0 评论 -
电路驱动能力
1.在电子电路中为什么有的地方电压会被拉低2,驱动能力是什么意思,如何提高驱动能力在很多资料上看到说驱动能力不够是因为提供的电流太小,为什么不说电压呢?在很多限制的条件都是电流而不是电压,为什么?电压和电流满足欧姆定律,考虑谁不是都一样吗?还有就是,在什么情况下要考虑驱动能力,是不是只有在集成电路输出口要考虑?那你怎么知道这个集成电路驱动能力是不是不够?在平常的电路中(非集成电路I原创 2015-08-07 17:26:18 · 7015 阅读 · 1 评论 -
上拉电阻下拉电阻的总结
上拉电阻: 1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。 2、OC门电路必须加上拉电阻,才能使用。 3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。 4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电原创 2015-08-07 17:15:26 · 338 阅读 · 0 评论 -
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管原创 2015-08-24 08:49:31 · 4783 阅读 · 0 评论 -
肖基特二极管 和开关二极管的区别
1:开关二极管是利用二极管的单向导电性,在半导体PN结加上正向偏压后,在导通状态下,电阻很小(几十到几百欧);加上反向偏压后截止,其电阻很大(硅管在100MΩ以上)。利用开关二极管的这一特性,在电路中起到控制电流通过或关断的作用,成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小,反向电阻很大,开关速度很快。2:肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面原创 2015-08-24 10:22:19 · 2605 阅读 · 1 评论 -
输入阻抗
输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样,它反映了对电流阻碍作用的大小。对于电压驱动的电路,输入阻抗越大,则对电压源的负载就越轻,因而就越容易驱动,也不会对信号源有影响;而对于电流驱动型的电路,输入阻抗越小,则对电流源的负载就越轻。因此,我们可以这样认为:如果是用电压源来驱动的,则输入阻抗越大越好;如果是用电流源来驱动的,则阻抗越小越好(注:只适合于低频电路,在高频电路中,还要考虑阻抗匹配问题。另外原创 2015-08-10 16:47:55 · 417 阅读 · 0 评论 -
电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解
电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解发 布 时 间 : 2010-05-27 来 源 : 百度空间 作 者 : yeblue 浏 览 : 54582在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容原创 2015-08-25 14:31:38 · 1051 阅读 · 0 评论 -
RS485总线最多可以负载多少个设备
经常会有这样的疑问RS485总线能挂多少个设备,是不是可以挂256个设备(因为地址是1byte,取值范围也就0-255)。 有的说RS485总线只能挂接32个节点,这是由它自身的驱动能力决定的。而到网上搜索发现有人说可以支持128个,也有说能支持256个,甚至400个......不管是支持32个、128个、256个都没有错,但是这些都是理论值,实际负载多少个设备,还要看RS485转换器用什原创 2015-08-31 22:07:23 · 18199 阅读 · 0 评论 -
PCB过孔全介绍
过孔(via)是多层PCB的重要组成部分之一,钻孔的费用通常占PCB制板费用的30%到40%。简单的说来,PCB上的每一个孔都可以称之为过孔。从作用上看,过孔可以分成两类:一是用作各层间的电气连接;二是用作器件的固定或定位。如果从工艺制程上来说,这些过孔一般又分为三类,即盲孔(blind via)、埋孔(buried via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷线路板的顶层和底层表面,具原创 2015-08-17 16:03:10 · 2049 阅读 · 0 评论 -
PCB设计基础知识
印刷电路板(Printed circuit board,PCB)几乎会出现在每一种电子设备当中。如果在某样设备中有电子零件,那么它们也都是镶在大小各异的PCB上。除了固定各种小零件外,PCB的主要功能是提供上头各项零件的相互电气连接。随着电子设备越来越复杂,需要的零件越来越多,PCB上头的线路与零件也越来越密集了。 标准的PCB长得就像这样。裸板(上头没有零件)也常被称为「印刷线路板Printed原创 2015-08-17 16:56:01 · 566 阅读 · 0 评论 -
什么是接地与浮地
什么是接地与浮地接地的定义很多,从接地的目的看,一般可以分为保护性接地和功能性接地两种。1.保护性接地(1)防电击接地。防电击接地属于安全(safety)范畴,它是为了防止电气设备绝缘损坏或产生漏电流时使平时不带电的外露导电部分带电而导致电击,将设备的外露导电部分接地,称为防电击接地。这种接地还可以限制线路涌流或低压线路及设备由于高压窜人而引起的高电压;当产生电器故障时,有利于过电流保原创 2015-08-18 10:08:02 · 8441 阅读 · 0 评论 -
超级电容器性能原理及应用
超级电容器是在19世纪60、70年代率先在美国出现,并于80年代实现市场化的一种新型的储能器件,具有超级储电能力。它兼具普通电容器的大电流快速充放电特性与电池的储能特性,填补了普通电容器与电池之间比能量与比功率的空白。超级电容器被称为是能量储存领域的一次革命,并将会在某些领域取代传统蓄电池。超级电容器性能超级电容器的能量密度是传统电容器的几百倍,功率密度高出电池两个数量级,很好地弥原创 2015-08-18 13:45:27 · 9162 阅读 · 0 评论 -
透彻理解超级电容的11个参数
[导读]超级电容器是一种通过极化电解质来储能的一种电化学元件,可作为一种介于传统电容器与电池之间、具有特殊性能的电源,且储能过程是可逆的,可以反复充放电数十万次。其突出优点是功率密度高、充放电时间短、循环寿命长、工作温度范围宽,是世界上已投入量产的双电层电容器中容量最大的一种。本文着重讨论超级电容选型和应用时需要了解的一些关键参数。图1:超级电容电压 Voltage 超级电容器具有一个推荐原创 2015-08-18 14:55:55 · 13346 阅读 · 2 评论 -
PCB焊盘、过孔、走线、去耦技术
【再流焊】这种焊接技术的焊料是焊锡膏。预先在电路板的焊盘上涂上适量和适当形式的焊锡膏,再把SMT元器件贴放到相应的位置;焊锡膏具有一定粘性,使元器件固定;然后让贴装好元器件的电路板进入再流焊设备。【波峰焊】波峰焊是让插件板的焊接面直接与高温液态锡接触达到焊接目的,其高温液态锡保持一个斜面,并由特殊装置使液态锡形成一道道类似波浪的现象。 一、焊盘的设计1.推荐元器件之原创 2015-08-18 11:14:54 · 2500 阅读 · 0 评论 -
电子设计不得不说的接地技术
在电子设计中,最常碰到的技术就是电路板的接地,从最常见的单模拟电路回路接地、单纯的数字电路回路接地到模拟数字电路的混合接地,从这些接地的方式中无不显示着电子设计的发展。如果你设计的产品还有其他的要求,例如经过EMC的检测,电路板的信号频率比较高(信号的上升时间为10ns甚至更低的数量级),那么,需要考虑的接地技术又要符合此时的因素。那么,今天就来分析说明下在这些因素的接地技术。本文引用地址:h原创 2015-08-18 10:58:30 · 833 阅读 · 0 评论 -
功率MOSFET保护电路设计
功率MOSFET保护电路设计 功率MOSFET保护电路设计 随着技术的发展,功率MOSFET在社会里面的应用会越来越广泛,功率MOSFET的前景是十分的好。因此今天我为大家分析一下功率MOSFET保护电路设计的内容。下面主要分析了功率MOSFET保护电路各方面的内容。 功率场效应管自身拥有众多优点,但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MO原创 2016-01-15 15:08:00 · 7297 阅读 · 0 评论