功率MOS管虽有诸多优点，但在高频应用中易受损伤。文章介绍了防止栅极di/dt过高、栅源极间过电压、漏源极间过电压的保护措施，以及过流保护电路设计，以确保器件的可靠性和延长使用寿命。
功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：
1）防止栅极 di/dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻，电阻的大小一般选取几十欧姆。
2）防止栅源极间过电压 由于
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