MOS防护电路

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功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。

功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：

1）防止栅极 di/dt过高：
由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或者更低)。若不加R509电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

2）防止栅源极间过电压:
由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷，不让电荷积累，实测单独焊接该下拉电阻（R516）还是不足以快速释放g极电荷，会导致mos管误触发，可靠的放电电路还是需要依赖mos管g极->D507->驱动芯片地回路来进行可靠的放电。

3）防护漏源极之间过电压 :
虽然漏源击穿电压VDS一般都很大，但如果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等保护措施，实测加上稳压管（D901）的效果要比加上RC电路的效果要好，推荐先用稳压管测试，但是此处绝对不能加tvs，加tvs会导致源极电压抬高，gs损坏。

当电流过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护MOS管。

4）电流采样保护电路
将经过mos管的电流通过采样电阻采样出来，然后将信号放大，将放大获得的信号和mcu给出的驱动信号经过或门控制驱动芯片的使能，在驱动电流过大时禁止驱动芯片输出，从而保护mos管回路。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极,属于电压控制型半导体器件

增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零；

耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

归纳一下，就 4种类型的MOS管：增强型 PMOS，增强型 NMOS，耗尽型 PMOS，耗尽型 NMOS。在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。

对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的

夹断区：VGS < VGS(th)在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。电流ID为0，管子不工作。

恒流区：VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)也叫饱和区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，电流的大小主要决定于电压VGS，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。

可变电阻区：VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th)在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

击穿区：随着VDS增大，PN结承受太大的反向电压而被击穿。

MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。MOS管栅极很容易被静电击穿（用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯）

开关性能：MOS管在开关性能方面优于三极管。由于MOS管的开关速度较快，且具有较小的导通电阻，因此在使用中能够减少能量损耗。而三极管的开关速度较慢，且在导通和截止状态之间切换时需要一定的过渡时间，这可能导致能量的浪费。

驱动能力：MOS管具有较大的驱动电流能力，能够驱动较大的负载。而三极管在驱动大负载时可能需要多个管子串联，增加了电路的复杂性。这里加一条：MOS的输入阻抗很高

MOS关键参数：

1.VGS(th)(开启电压)：又称阈值电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。MOS管的开关条件：

N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通；

P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|

2、VGS(最大栅源电压)：

栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

3、RDS(on)(漏源电阻)

导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

4、ID(导通电流)

最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

场效应管的工作电流不应超过 ID 。

一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。

5、VDSS(漏源击穿电压)

漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。击穿后会使得 ID 剧增。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V（BR）DSS 。

因为MOS管的都有寄生电容，其被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容。不能忽略寄生电容，所以在我们的MOS使用时候，就会在GS级加上一个电阻，用来释放寄生电容的电流。

这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。通常在GS端加装电阻减缓米勒效应。GS端电阻阻值选择：建议是一般取5K至数10K左右，太大影响 MOS 管的关断速度。 太小驱动电流会增大，驱动功率增大。但是在有些地方大一点也无所谓，比如电源防反接等不需要频繁开关的场合。

MOS的应用场景：开关管，防反接.........

原文链接：https://blog.csdn.net/zhuimeng_ruili/article/details/108979413