STM32F1_片内FLASH编程

前言

今天总结“STM32F103  片内FLASH编程”,对于学习编程的人来说“FLASH”这个词肯定很熟悉,因为FLASH主要用于存储数据。对于STM32来说,内部FLASH的容量有大有小,从16K到2M不等,主要看芯片的型号。

对于刚从51或者430转入学习ARM-Cortex M芯片的人来说,可能只知道内部FLASH是拿来装载程序的,事实上Cortex M芯片内部FLASH的可以拿来编程的,而且还可以像外部FLASH一样存储数据。对,今天提供的工程就是使用内部FLASH像外部FLASH一样读写数据,而且不是块或者页编程(即不覆盖临近地址数据)。

在实际的开发中,内部FLASH存储数据也是很重要的一点,特别是一些不常修改,而且很重要的标志位,或者一些配置等,存储在内部FLASH是很常见的。但是,这个地址一定要避开程序储存的地址(我计划后期整理编程地址规范及要求)。

 

下载

今天提供下载的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘。

 

今天的软件工程下载地址(360云盘):

https://yunpan.cn/cRs8kq9Q5hQCS  访问密码

 

STM32F10x的资料可以在我360云盘下载:

https://yunpan.cn/crBUdUGdYKam2   访问密码 ca90

 

内容讲解

工程概要说明: 提供工程的源代码主要就是两个接口,一个写,一个读。

void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);

相信经常编程的人都明白函数接口的意思(我的命名规则还是算比较人性化的),就是和常见的访问外部FLASH一样,不会覆盖数据,我已经在实际工作中应用而且商业化了。

主要在地址“ADDR”处写一个标志位,在地址“ADDR + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”,则不会再次写入数据,只会读取数据,意思就是说数据只写一次,以后每次只是读取数据(就是保证掉电后数据会不会丢失)。每次读取数据,通过串口打印出以前写入的数据是否正确。

 

提供的工程以简单为原则,详细中文注释,方便自己方便大家。

 

关于“STM32F103  片内FLASH编程” 我把重要的几点在下面分别讲述:

一、写函数接口


该函数位于flash.c文件下面;

注意:

A.参数pBuffer是数据缓冲区,是16位的,而不是8位的。(其实这里可以整理为8位的,由于时间有限,如果有需要,请微信里回复我,我抽时间整理一下)。

B.参数长度也是16位的数量。

C.地址是内部FLASH地址,可别溢出了,也别和程序冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。

 

二、读函数接口


该函数位于flash.c文件下面;

注意的地方和上面写函数接口一样,主要是参数。

 

三、读写应用


该函数位于main.c文件下面;

蓝色表示读写标志位

红色表示读写数据

看一下就知道程序的流程是:“数据标志位”和“数据”都只写一次,而每次上电读一次标志位,再读数据。

这里的“数据标志位”地址就在“数据”前面。

 

四、今天的重点



重点A.页的大小:STM32F1小、中容量是1K,而大容量是2K,对于编程这里是有差异的。

重点B.STM32系列芯片中有很大一部分页的大小都是规则的,也就是说都是1K或许2K大小,学过其他系列芯片的人可能知道,在其他很多芯片中也有不是规则的,如STM32F4中基本都不是规则的(如下图F4芯片),有的一块16K128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用,今天提供工程适用于内部FLASH规则大小的芯片。



说明

今天提供的软件工程基于STM32F103大容量芯片,中等及小容量芯片也使用,只要修改flash.h文件一个宏(页大小就可以)。其实只要适当修改工程的部分配置,STM32F1的芯片都适用。


最后

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