西电电院25年集成电路导论复习资料

·一、基本概念——第 1、2、3、4、5 章

摩尔定理：

戈登·摩尔（Gordon Moore）在1965年4月的《电子学》杂志上发表文章预言，芯片上集成的晶体管和电阻数量将每18个月翻倍，1975年又提出修正说，芯片上集成的晶体管数量将每两年翻一番。

设计规则；特征尺寸

集成电路中半导体器件的最小尺寸，通常指CMOS工艺中MOS器件的沟道长度或栅极宽度。

CMOS制造工艺进展的标志以能够加工的半导体层最细线条作为特征尺寸。

ASIC；IC

IC：集成电路，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上并封装在一个外壳内，可执行特定电路或系统功能。

ASIC：专用集成电路，相对于市场上通用的集成电路而言，ASIC一般指面向特定的用户或特定用途而设计制造的集成电路。目前在集成电路界，ASIC被认为是用户专用集成电路，是专门为一个用户而设计和制造的，根据某一用户的特定要求，以低研制成本、短交货周期供货的半定制、定制电路以及PLD和FPGA电路。

氧化；光刻；扩散；淀积

氧化：在单晶片上或外延层上生长一层二氧化硅的过程。

光刻：利用感光胶感光后的抗腐蚀特性，在硅片表面的掩膜层上刻制出所需要的图形。

扩散：在高温下将P型或N型杂质从硅表面扩散到体内的过程。

淀积：在一定的装置中，通过通入不同的反应气体而在一定的工艺条件下往硅片表面沉淀一层介质或薄膜，如Poly。

深亚微米集成电路：将特征尺寸达到深亚微米（通常指0.25um以下）级别的集成电路称为深亚微米集成电路。

注意：书上将0.35um以下的工艺称为深亚微米（DSM）工艺。

CIF 格式：CIF格式是用一组文本命令来表示掩模分层和版图图形，可读性强，具有无二义性的语法。通过对矩形、多边形、圆、线段等基本图形的描述、图样定义描述，附加图样调用功能等，可以实现版图图形的层次性描述。由于采用字符格式，CIF格式可以独立于具体机器，可移植性强。

GDSII格式：GDSII格式可以表示版图的几